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| IRF350 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF353, IRF352, IRF351, |
Download IRF350 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 15A. | Download IRF350 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF350-353, |
Download IRF350 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: JANTXV2N6768, JANTX2N6768, 2N6768, |
Download IRF350 datasheet von International Rectifier |
pdf 150 kb |
 | 15A/ 400V/ 0.300 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF350 datasheet von Intersil |
pdf 64 kb |
| IRF343 | Ansicht IRF350 zu unserem Katalog | IRF350-353 |