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| IRF720 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 3.3A/ 400V/ 1.800 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Download IRF720 datasheet von Intersil |
pdf 59 kb |
 | N-Kanal-MOSFET, 400V, 3.3A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF721F1, IRF722, IRF721, IRF722F1, IRF723, |
Download IRF720 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 344 kb |
 | 400V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF720PBF, |
Download IRF720 datasheet von International Rectifier |
pdf 177 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A. | Download IRF720 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF720 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 278 kb |
 | 3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Führung Energie Mosfet | Download IRF720 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
| IRF713 | Ansicht IRF720 zu unserem Katalog | IRF7201 |