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TSD4M150F Vorbei Hergestellt: |
V (ds): 100V; V (DGR): 100V; V (gs): + -20 V; 500W; I (d): 135A; N-Kanal-Anreicherungs-MOS-Leistungstransistor ISOFET Modul. Für DC-DC und DC-AC-Wandler, Schaltnetzteile & USV, Motorsteuerung, Ausgangsspeicher für PWM, Ultraschall Schalt Andere mit der gleichen Akte für datasheet: TSD4M150V, |
Download TSD4M150F datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 359 kb |
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ENERGIE MOS TRANSISTOR-MODUL DES N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ISOFET Andere mit der gleichen Akte für datasheet: TSD4M150, |
Download TSD4M150F datasheet von ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
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ENERGIE MOS TRANSISTOR-MODUL DES N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ISOFET | Download TSD4M150F datasheet von ST Microelectronics |
pdf 358 kb |
TSD4M150 | Ansicht TSD4M150F zu unserem Katalog | TSD4M150V |