| 1082420 | SD110OC32C | Standard-Recovery-Diode | International Rectifier |
| 1082421 | SD110OC32L | Standard-Recovery-Diode | International Rectifier |
| 1082422 | SD1112BD | 200 V, 7 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082423 | SD1112CHP | 200 V, 7 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082424 | SD1112DD | 200 V, 7 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082425 | SD1112HD | 200 V, 7 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082426 | SD1113BD | 200 V, 10 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082427 | SD1113CHP | 200 V, 10 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082428 | SD1113DD | 200 V, 10 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082429 | SD1113HD | 200 V, 10 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082430 | SD1117BD | 60 V, 2,5 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082431 | SD1117CHP | 60 V, 2,5 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082432 | SD1117DD | 60 V, 2,5 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082433 | SD1117HD | 60 V, 2,5 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082434 | SD1117N | 60 V, 2,5 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmode-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082435 | SD1122BD | 200 V, 10 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082436 | SD1122CHP | 200 V, 10 Ohm, N-Kanal-Anreicherungsmodus-Hochspannungs-D-MOS-FET Leistungs | Topaz Semiconductor |
| 1082437 | SD1127 | RF NPN Transistor | Microsemi |
| 1082438 | SD1127BD | 60 V, 4 Ohm, N-Kanal-Anreicherungstyp-Vertikal D-MOS FET mit sehr niedrigem Leck | Topaz Semiconductor |
| 1082439 | SD1127CHP | 60 V, 4 Ohm, N-Kanal-Anreicherungstyp-Vertikal D-MOS FET mit sehr niedrigem Leck | Topaz Semiconductor |
| 1082440 | SD1134 | UHF MOBILE ANWENDUNGEN RF & Mikrowellentransistoren | SGS Thomson Microelectronics |
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