| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1180801 | STVMOCAABA | Multimedia over Coax ST-Lösung | ST Microelectronics |
| 1180802 | STVP | ST Visuelle Programmer für das Programmieren ST7 STM8 und STM32 | ST Microelectronics |
| 1180803 | STVVGLNA | Allzweck, variabler Verstärkung, geräuscharm, HF-Verstärker für Rundfunkempfänger Anwendungen | ST Microelectronics |
| 1180804 | STVVGLNAT | Allzweck, variabler Verstärkung, geräuscharm, HF-Verstärker für Rundfunkempfänger Anwendungen | ST Microelectronics |
| 1180805 | STW10N95K5 | N-Kanal 950 V, 0,65 Ohm typ. 8 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180806 | STW10NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180807 | STW10NB60 | N-CHANNEL 600V - 0.69 OHM - 10A - TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180808 | STW10NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.69Ohm - 10A - TO-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180809 | STW10NC60 | N-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180810 | STW10NC60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.65Ohms - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH II Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180811 | STW10NC60 | N-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180812 | STW10NC70Z | N-CHANNEL 700V 0.58OHM 10.6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180813 | STW10NC70Z | N-CHANNEL 700V 0.6OHM 10.6A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180814 | STW10NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.65 OHM - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180815 | STW10NK60Z | N-CHANNEL 600V 0.65 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A ZENER-PROTECTED SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180816 | STW10NK80Z | N-CHANNEL 800V - 0.78 OHM - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180817 | STW11NB80 | N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 11A - TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180818 | STW11NB80 | N-CHANNEL 800V - 0.65Ohm - 11A - T0-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180819 | STW11NK100Z | N-CHANNEL 1000V 1.1 ENERGIE MOSFET DES OHM-8.3A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180820 | STW11NK90Z | N-Kanal 900 V, 0,82 Ohm typ. 9,2 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) Power MOSFET in einem TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180821 | STW11NM80 | N-CHANNEL 800 V - 0.35 OHM - 11 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 MDMESH Mosfet | ST Microelectronics |
| 1180822 | STW120NF10 | N-Kanal 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET (TM) II Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180823 | STW12N120K5 | N-Kanal 1200 V, 0,58 Ohm typ. 12 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180824 | STW12NA50 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180825 | STW12NA50 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180826 | STW12NA50 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180827 | STW12NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1180828 | STW12NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180829 | STW12NA60 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180830 | STW12NB60 | N-CHANNEL 600V 0.5 OHM12A TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180831 | STW12NB60 | N-CHANNEL 600V 0.5 OHM12A TO-247 POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180832 | STW12NC60 | N-CHANNEL 600V 0.48 OHM12A TO-247 POWERMESH II MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180833 | STW12NC60 | N-CHANNEL 600V - 0.48W - 12A TO-247 PowerMesh II Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180834 | STW12NK80Z | N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5 Ein TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1180835 | STW12NK90Z | N-CHANNEL 900V 0.72 ENERGIE MOSFET DES OHM-11A TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180836 | STW12NK95Z | N-CHANNEL 950V - 0,72 Ohm - 10A - TO-247 Z-geschützten SuperMESH ™ Leistungs-MOSFET | ST Microelectronics |
| 1180837 | STW130NS04ZB | N-CHANNEL KLEMMTE - 8MOHM - 80A TO-220/TO-247 VÖLLIG GESCHÜTZTEN INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET FEST | ST Microelectronics |
| 1180838 | STW13N60M2 | N-Kanal 600 V, 0,35 Ohm typ. 11 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180839 | STW13N80K5 | N-Kanal 800 V, 0,37 Ohm typ. 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1180840 | STW13N95K3 | N-Kanal 950 V, 0,68 Ohm typ., 10 A Zener-geschützt SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-247 | ST Microelectronics |
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