| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1181081 | STW80NF10 | N-CHANNEL 100V 0.012 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 NIEDRIGER | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181082 | STW80NF12 | N-CHANNEL 120V-0.013OHM-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181083 | STW80NF55-06 | N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1181084 | STW80NF55-06 | N-CHANNEL 55V 0.005 ENERGIE MOSFET DES OHM-80A TO-247 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181085 | STW80NF55-08 | N-CHANNEL 55V - 0.0065 OHM - 80A TO-247 STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181086 | STW81101 | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181087 | STW81101AT | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181088 | STW81101ATR | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181089 | STW81102 | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181090 | STW81102AT | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181091 | STW81103 | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181092 | STW81103AT | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181093 | STW81103ATR | Mehrband-RF-Frequenz-Synthesizer mit integrierten VCOs | ST Microelectronics |
| 1181094 | STW81200 | Wide Band Frac-Integer-N Integrated Synthesizer | ST Microelectronics |
| 1181095 | STW81200T | Wide Band Frac-Integer-N Integrated Synthesizer | ST Microelectronics |
| 1181096 | STW81200TR | Wide Band Frac-Integer-N Integrated Synthesizer | ST Microelectronics |
| 1181097 | STW82100B | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181098 | STW82100BTR | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181099 | STW82101B | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181100 | STW82101BTR | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181101 | STW82102B | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181102 | STW82102BTR | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181103 | STW82103B | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181104 | STW82103BTR | RF-Abwärtswandler mit eingebetteten Integer-N-Synthesizers | ST Microelectronics |
| 1181105 | STW88N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.024 Ohm typ. 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1181106 | STW8NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1181107 | STW8NA60 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181108 | STW8NA60 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181109 | STW8NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1181110 | STW8NA80 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181111 | STW8NA80 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181112 | STW8NB100 | N-CHANNEL 1000V - 1.3 OHM - 7.3A - TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181113 | STW8NB100 | N - FÜHRUNG 1000V - 1.2W - 8A - TO-247, PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181114 | STW8NB80 | N - FÜHRUNG 800V - 1.2 Ohm - 7.5A - TO-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181115 | STW8NB80 | N-CHANNEL 800V - 1.2 OHM - 7A - TO-247 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181116 | STW8NB90 | N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181117 | STW8NB90 | N-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181118 | STW8NB90 | N - FÜHRUNG 900V - 1.1 Ohm - 8A - TO-247 PowerMESH Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181119 | STW8NC70Z | N-CHANNEL 700V 1.1 OHM7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | ST Microelectronics |
| 1181120 | STW8NC70Z | N-CHANNEL 700V 1.1 OHM7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET | SGS Thomson Microelectronics |
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