| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1281561 | UPA622TT | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281562 | UPA622TT-E1 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281563 | UPA622TT-E1-A | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281564 | UPA622TT-E2 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281565 | UPA622TT-E2-A | N-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281566 | UPA650 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281567 | UPA650TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281568 | UPA650TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281569 | UPA650TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281570 | UPA651 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281571 | UPA651TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281572 | UPA651TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281573 | UPA651TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281574 | UPA652 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281575 | UPA652TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281576 | UPA652TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281577 | UPA652TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281578 | UPA653 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281579 | UPA653TT | P-CHANNEL MOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR FÜR SCHALTUNG auf | NEC |
| 1281580 | UPA653TT-E1 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281581 | UPA653TT-E2 | P-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281582 | UPA672 | N-CHANNEL MOS FET REIHE FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 1281583 | UPA672T | N-CHANNEL MOS FET REIHE FÜR SCHALTUNG | NEC |
| 1281584 | UPA675T | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281585 | UPA675T-T1 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281586 | UPA675T-T2 | N-Führung Verbesserung Art MOS FET | NEC |
| 1281587 | UPA677TB | N-Führung Verbesserung MOS FET für Last Schalter | NEC |
| 1281588 | UPA678TB | P-Führung Verbesserung MOS FET für Last Schalter | NEC |
| 1281589 | UPA679TB | N/P-Channel Verbesserung MOS FET für Last Schalter | NEC |
| 1281590 | UPA80 | Silikontransistorreihe | NEC |
| 1281591 | UPA800T | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 1281592 | UPA800T-T1 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORM | NEC |
| 1281593 | UPA800T-T1B | 6-pin kleine MM Hochfrequenzdoppeltransistorarray | NEC |
| 1281594 | UPA800TF | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 1281595 | UPA801 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281596 | UPA801T | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281597 | UPA801T-T1 | 6-pin kleine MM hochfrequenten Doppeltransistor | NEC |
| 1281598 | UPA801TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281599 | UPA801TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281600 | UPA801TF | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
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