| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1281641 | UPA810TF | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 1281642 | UPA811 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4228 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281643 | UPA811T | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4228 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281644 | UPA811T-T1 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4228 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281645 | UPA812 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4227 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281646 | UPA812T | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4227 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281647 | UPA812T-T1 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 x 2SC4227 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281648 | UPA813 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC4570 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281649 | UPA813T | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC4570 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281650 | UPA813T-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC4570 KLEINER MINIFORM | NEC |
| 1281651 | UPA814 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281652 | UPA814T | Verbraucherverwendung Ultrahochfrequenz-Bipolar Transistor | NEC |
| 1281653 | UPA814T-T1 | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 1281654 | UPA814TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281655 | UPA814TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5195 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281656 | UPA814TF | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 1281657 | UPA81C | Silikon Darlington Transistorreihe | NEC |
| 1281658 | UPA821 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281659 | UPA821TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281660 | UPA821TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281661 | UPA821TF | Twin-Transistoren mit dem gleichen Modell Chip ausgestattet (6P kleinen MM) | NEC |
| 1281662 | UPA821TF-T1 | NPN Silizium-Epitaxie-twin-Transistor. | NEC |
| 1281663 | UPA822TF | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 1281664 | UPA826TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT den DÜNNEN BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-STIFTEN - SCHREIBEN Sie ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281665 | UPA826TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR MIT den DÜNNEN BUILT-IN 2 x 2SC5010 FLAT-LEAD 6-STIFTEN - SCHREIBEN Sie ULTRA SUPERMINIMOLD | NEC |
| 1281666 | UPA826TF | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR | NEC |
| 1281667 | UPA826TF-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR | NEC |
| 1281668 | UPA827 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE KLEINE MINIFORM | NEC |
| 1281669 | UPA827TF | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE KLEINE MINIFORM | NEC |
| 1281670 | UPA827TF-T1 | HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5179 THIN-TYPE KLEINE MINIFORM | NEC |
| 1281671 | UPA828 | HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE KLEINE MINIFORM | NEC |
| 1281672 | UPA828TF | HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE KLEINE MINIFORM | NEC |
| 1281673 | UPA828TF-T1 | HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR DES VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 6-STIFTEN 2 x 2SC5184 THIN-TYPE KLEINE MINIFORM | NEC |
| 1281674 | UPA829TF | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 1281675 | UPA829TF-T1 | NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor. | NEC |
| 1281676 | UPA831 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKET | NEC |
| 1281677 | UPA831TC | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKET | NEC |
| 1281678 | UPA831TC-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT 2 UNTERSCHIEDLICHEN ELEMENTEN IN FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLD PAKET | NEC |
| 1281679 | UPA831TF | Twin-Transistoren mit verschiedenen Modell-Chips ausgestattet (6P kleinen MM) | NEC |
| 1281680 | UPA831TF-T1 | NPN Silizium-Epitaxie-twin-Transistor. | NEC |
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