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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1281601UPA802THIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281602UPA802T-T1HIGH-FREQUENCY NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281603UPA802TC-T16-pin kleine MM hochfrequenten DoppeltransistorNEC
1281604UPA803NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281605UPA803TNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281606UPA803T-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281607UPA804NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
1281608UPA804T6-pin kleine MM hochfrequenten DoppeltransistorNEC
1281609UPA804T-T16-pin kleine MM hochfrequenten DoppeltransistorNEC
1281610UPA804TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
1281611UPA804TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5004 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
1281612UPA804TF6-pin kleine MM hochfrequenten DoppeltransistorNEC
1281613UPA805MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281614UPA805TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281615UPA805T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281616UPA806MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281617UPA806TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281618UPA806T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC



1281619UPA807MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
1281620UPA807TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
1281621UPA807T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
1281622UPA808MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
1281623UPA808TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
1281624UPA808T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-SUPERMINIFORMNEC
1281625UPA808TCNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
1281626UPA808TC-T16-pin kleine MM hochfrequenten DoppeltransistorNEC
1281627UPA809MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281628UPA809TMIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281629UPA809T-T1MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MIT BUILT-IN 2 ELEMENT-MINIFORMNEC
1281630UPA809TFNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
1281631UPA80CSilikontransistorreiheNEC
1281632UPA80GRSilikontransistorreiheNEC
1281633UPA80GR-E2SilikontransistorreiheNEC
1281634UPA80GR-T1SilikontransistorreiheNEC
1281635UPA81Silikon Darlington TransistorreiheNEC
1281636UPA810NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
1281637UPA810TNPN Silizium Hochfrequenz-Transistor.NEC
1281638UPA810T-T1Verbraucherverwendung Ultrahochfrequenz-Bipolar TransistorNEC
1281639UPA810TCNPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
1281640UPA810TC-T1NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MIT BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-STIFTEN THIN-TYPE ULTRA SUPERMINIMOLDNEC
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