| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53081 | 2SC1921 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 53082 | 2SC1921 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53083 | 2SC1921 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53084 | 2SC1922 | Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN) | Unknow |
| 53085 | 2SC1922 | Energie TO-3 Paket-Transistoren (NPN) | Unknow |
| 53086 | 2SC1923 | Epitaxial- planare Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Hochfrequenzverstärker-Anwendungen FM, Rf, MISCHUNG, WENN Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53087 | 2SC1927 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- DOPPELTRANSISTOR FÜR DIFFERENTIALVERSTÄRKER UND ULTRA SCHNELLSCHALTUNG INDUSTRIELLEN GEBRAUCH | NEC |
| 53088 | 2SC1929 | SI NPN EPITAXIAL- PLANARES | Panasonic |
| 53089 | 2SC1929 | SI NPN EPITAXIAL- PLANARES | Panasonic |
| 53090 | 2SC1940 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53091 | 2SC1940 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53092 | 2SC1941 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53093 | 2SC1941 | NPN SILIKON-TRANSISTOR | NEC |
| 53094 | 2SC1942 | HOCHSPANNUNGSENERGIE SCHALTUNG FERNSEHAPPARAT HORIZONTALES ABLENKUNG OUTPUT | Hitachi Semiconductor |
| 53095 | 2SC1942 | HOCHSPANNUNGSENERGIE SCHALTUNG FERNSEHAPPARAT HORIZONTALES ABLENKUNG OUTPUT | Hitachi Semiconductor |
| 53096 | 2SC1944 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53097 | 2SC1945 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53098 | 2SC1946 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53099 | 2SC1946A | MITSUBISHI RF ENERGIE TRANSISTOR | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53100 | 2SC1947 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53101 | 2SC1953 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 53102 | 2SC1959 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
| 53103 | 2SC1966 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53104 | 2SC1967 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53105 | 2SC1968 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53106 | 2SC1968A | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53107 | 2SC1969 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53108 | 2SC1970 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53109 | 2SC1971 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53110 | 2SC1972 | NPN EPITAXIAL- PLANARE TYPE(for Rf Endverstärker auf VHF Bandbeweglichen Radioanwendungen) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53111 | 2SC1973 | EPITAXIAL- PLANARES DES TRANSISTOR-NPN | Panasonic |
| 53112 | 2SC1974 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 53113 | 2SC1974 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 53114 | 2SC1975 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 53115 | 2SC1975 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 53116 | 2SC1980 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 53117 | 2SC1983 | INVERTER SOLENOID DES NPN SILIKON-DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING DER REGLER-PWM UND RELAIS-TREIBER) | Wing Shing Computer Components |
| 53118 | 2SC1985 | 60V NPN Silizium-Transistor | Sanken |
| 53119 | 2SC1986 | 80V NPN Silizium-Transistor | Sanken |
| 53120 | 2SC1988 | HOHER FREQUNY TRANSISTOR DES NPN SILIKON- | NEC |
| | | |
