| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53201 | 2SC2131 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53202 | 2SC2133 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53203 | 2SC2134 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53204 | 2SC2148 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 53205 | 2SC2149 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 53206 | 2SC2153 | Si NPN planar. RF-Verstärker. | Panasonic |
| 53207 | 2SC2166 | NPN EPITAXIAL- PLANARER TYPE(RF ENERGIE TRANSISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53208 | 2SC2173 | UHF Band-Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53209 | 2SC2178 | VHF Band-Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53210 | 2SC2188 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
| 53211 | 2SC2206 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Hoch-Frequenz Verstärker und andere | Panasonic |
| 53212 | 2SC2209 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Andere | Panasonic |
| 53213 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
| 53214 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
| 53215 | 2SC2216 | Epitaxial- Planare Art Fernsehapparat Abschließende Abbildung Des Transistor-Silikon-NPN WENN Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53216 | 2SC22174 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 53217 | 2SC22174 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 53218 | 2SC2218 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 53219 | 2SC2218 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 53220 | 2SC2221 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
| 53221 | 2SC2221 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
| 53222 | 2SC2222 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
| 53223 | 2SC2222 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Unknow |
| 53224 | 2SC2223 | HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-MINIFORM DES VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 53225 | 2SC2223-L | Silikontransistor | NEC |
| 53226 | 2SC2223-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 53227 | 2SC2223-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 53228 | 2SC2229 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART-SCHWARZES UND WEISSES Fernsehapparat VIDEOCOutput DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN, HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG, Treiberstufe Audioverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53229 | 2SC2230 | Dreifache Zerstreute Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) ALLGEMEINE VERSTÄRKER-UND FARBE Fernsehapparat KATEGORIE B STICHHALTIGE OUTPUT-HOCHSPANNUNGSANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53230 | 2SC2230A | Dreifache Zerstreute Art Des Transistor-Silikon-NPN (Pct Prozeß) ALLGEMEINE VERSTÄRKER-UND FARBE Fernsehapparat KATEGORIE B STICHHALTIGE OUTPUT-HOCHSPANNUNGSANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53231 | 2SC2231 | SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 53232 | 2SC2231 | SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 53233 | 2SC2231A | SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 53234 | 2SC2231A | SILIKON NPN DREIFACHES ZERSTREUTES TYPE(PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 53235 | 2SC2233 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR(for Fernsehapparat horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen) | MOSPEC Semiconductor |
| 53236 | 2SC2233 | NPN EPITAXIAL- FREQUENZ-ENDVERSTÄRKER DES SILIKON-TRANSISTOR(LOW) | Wing Shing Computer Components |
| 53237 | 2SC2233 | NPN Silizium Kunststoff-Leistungstransistor. Konzipiert für den Einsatz in B / W TV horizontale Ablenkung ausgegeben. VCBO = 200V, DC Stromverstärkung: 20 @ Ic = 4A. Pd = 40W. | USHA India LTD |
| 53238 | 2SC2235 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER, TREIBERSTUFE VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53239 | 2SC2236 | EPITAXIAL- ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN (PCT PROZESS) AUDIOCENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN | TOSHIBA |
| 53240 | 2SC2237 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
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