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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
569041IRF9542100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569042IRF9543P Führung Energie MosfetHarris Semiconductor
569043IRF9543P Führung 100 V Energie MosfetInternational Rectifier
569044IRF9543P Führung Energie MosfetSamsung Electronic
569045IRF9610-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
569046IRF9610S-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569047IRF9610STRL-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569048IRF9610STRR-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569049IRF96203.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Führung Energie MosfetFairchild Semiconductor
569050IRF9620-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
569051IRF96203.5A/ 200V/ 1.500 Ohm P-Führung Energie MosfetIntersil
569052IRF9620S-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569053IRF9620STRL-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569054IRF9620STRR-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569055IRF96306.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Führung Energie MOSFETsFairchild Semiconductor
569056IRF9630-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
569057IRF96306.5A/ 200V/ 0.800 Ohm P-Führung Energie MOSFETsIntersil
569058IRF9630200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569059IRF9630PBF-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier



569060IRF9630S-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569061IRF9630STRL-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569062IRF9630STRR-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569063IRF9631150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569064IRF9632200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569065IRF9633150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569066IRF964011A, 200V, 0.500 Ohm, P-Führung Energie MOSFETsFairchild Semiconductor
569067IRF9640-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
569068IRF964011A/ 200V/ 0.500 Ohm P-Führung Energie MOSFETsIntersil
569069IRF9640200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569070IRF9640PBF-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB PaketInternational Rectifier
569071IRF9640S-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569072IRF9640SPBF-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569073IRF9640STRL-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569074IRF9640STRR-200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak PaketInternational Rectifier
569075IRF9641150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569076IRF9642200 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569077IRF9643150 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFETSamsung Electronic
569078IRF991020V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
569079IRF995230V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
569080IRF9952TR30V verdoppeln n und p Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8International Rectifier
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