| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 568921 | IRF841 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 568922 | IRF841 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 568923 | IRF841 | TRANSISTOREN N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568924 | IRF841 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568925 | IRF841 | N-Kanal-HEXFET, 450V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568926 | IRF841F1 | N-Kanal-HEXFET, 450V, 4.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568927 | IRF842 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 568928 | IRF842 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 568929 | IRF842 | TRANSISTOREN N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568930 | IRF843 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Motorola |
| 568931 | IRF843 | N-Führung Energie MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V | Fairchild Semiconductor |
| 568932 | IRF843 | TRANSISTOREN N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568933 | IRF8910 | 20V verdoppeln N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568934 | IRF8915 | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket SO-8 | International Rectifier |
| 568935 | IRF9130 | -100V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 568936 | IRF9130 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 568937 | IRF9130 | 12A/ -100V/ 0.30 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568938 | IRF9130 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568939 | IRF9130SMD | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET FÜR HI.REL ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 568940 | IRF9131 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568941 | IRF9131 | -10A Und -12A, -80 V und -100 V, 0,30 und 0,40 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568942 | IRF9132 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568943 | IRF9132 | -10A Und -12A, -80 V und -100 V, 0,30 und 0,40 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568944 | IRF9133 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 568945 | IRF9133 | -10A Und -12A, -80 V und -100 V, 0,30 und 0,40 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568946 | IRF9140 | -100V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 568947 | IRF9140 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 568948 | IRF9140 | 19A/ -100V/ 0.200 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568949 | IRF9140 | 100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568950 | IRF9141 | -19A Und -15a, -80 V und -100 V, 0,20 und 0,30 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568951 | IRF9141 | 60 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568952 | IRF9142 | -19A Und -15a, -80 V und -100 V, 0,20 und 0,30 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568953 | IRF9142 | 100 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568954 | IRF9143 | -19A Und -15a, -80 V und -100 V, 0,20 und 0,30 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568955 | IRF9143 | 60 V, P-Kanal-Leistungs-MOSFET | Samsung Electronic |
| 568956 | IRF9150 | P Lenken Mosfet | Microsemi |
| 568957 | IRF9150 | 25A/ -100V/ 0.150 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 568958 | IRF9151 | -25, -80 V und -100 V, 0,150 Ohm, P-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 568959 | IRF9230 | -200V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 568960 | IRF9230 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
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