| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 58601 | 2SD640 | DREIFACHE DIFFUSEO ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58602 | 2SD641 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58603 | 2SD641 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58604 | 2SD647A | DREIFACHE ZERSTREUTE GROSSART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58605 | 2SD647A | DREIFACHE ZERSTREUTE GROSSART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58606 | 2SD648A | DREIFACHE ZERSTREUTE GROSSART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58607 | 2SD648A | DREIFACHE ZERSTREUTE GROSSART DES SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 58608 | 2SD649 | Si NPN dreifachen Diffusionsverbindung Mesa. Line-Betrieb Horizontalablenkspule ausgegeben. | Panasonic |
| 58609 | 2SD655 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58610 | 2SD655 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 58611 | 2SD655 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58612 | 2SD661 | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For Niederfrequenz- und lärmarme Verstärkung) | Panasonic |
| 58613 | 2SD661 | Silikon PNP Epitaxial- Planer type(For Niederfrequenz- und lärmarme Verstärkung) | Panasonic |
| 58614 | 2SD661A | Silikon PNP Epitaxial- Planer type(For Niederfrequenz- und lärmarme Verstärkung) | Panasonic |
| 58615 | 2SD661A | Silikon NPN Epitaxial- Planer type(For Niederfrequenz- und lärmarme Verstärkung) | Panasonic |
| 58616 | 2SD662 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58617 | 2SD662B | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 58618 | 2SD666 | Ergänzendes Paar des Niederfrequenzhochspannungsverstärkers mit 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58619 | 2SD666 | Ergänzendes Paar des Niederfrequenzhochspannungsverstärkers mit 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58620 | 2SD666A | Ergänzendes Paar des Niederfrequenzhochspannungsverstärkers mit 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58621 | 2SD666A | Ergänzendes Paar des Niederfrequenzhochspannungsverstärkers mit 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58622 | 2SD667 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58623 | 2SD667 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 58624 | 2SD667 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58625 | 2SD667A | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58626 | 2SD667A | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 58627 | 2SD667A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58628 | 2SD669 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58629 | 2SD669 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 58630 | 2SD669A | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58631 | 2SD669A | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 58632 | 2SD673A | Niederfrequenzergänzendes Paar DES ENDVERSTÄRKERS mit2SD673A | Unknow |
| 58633 | 2SD673A | Niederfrequenzergänzendes Paar DES ENDVERSTÄRKERS mit2SD673A | Unknow |
| 58634 | 2SD687 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 58635 | 2SD687 | EPITAXIAL- TYPE(PCT PROZESS DES SILIKON-NPN) | TOSHIBA |
| 58636 | 2SD688 | SILIKON NPN EPITAXIAL- (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 58637 | 2SD688 | SILIKON NPN EPITAXIAL- (PCT PROZESS) | TOSHIBA |
| 58638 | 2SD691 | Si NPN Diffusionsverbindung Mesa. Hochleistungsverstärker. | Panasonic |
| 58639 | 2SD692 | Si NPN Diffusionsverbindung Mesa. Hochleistungsverstärker. | Panasonic |
| 58640 | 2SD693 | Si NPN triple diffundiert Mesa. Hohe Leistungsschalt. | Panasonic |
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