| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 610721 | KM416V256DJ-7 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 610722 | KM416V256DLJ-5 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 3,3V, Self-Refresh-Funktion | Samsung Electronic |
| 610723 | KM416V256DLJ-6 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 3,3V, Self-Refresh-Funktion | Samsung Electronic |
| 610724 | KM416V256DLJ-7 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 3,3V, Self-Refresh-Funktion | Samsung Electronic |
| 610725 | KM416V256DLT-5 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 3,3V, Self-Refresh-Funktion | Samsung Electronic |
| 610726 | KM416V256DLT-6 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 3,3V, Self-Refresh-Funktion | Samsung Electronic |
| 610727 | KM416V256DLT-7 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 3,3V, Self-Refresh-Funktion | Samsung Electronic |
| 610728 | KM416V256DT-5 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 610729 | KM416V256DT-6 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 610730 | KM416V256DT-7 | 256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 70ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 610731 | KM416V4000B | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
| 610732 | KM416V4000BS-45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 610733 | KM416V4000BS-5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610734 | KM416V4000BS-6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610735 | KM416V4000BS-L45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610736 | KM416V4000BS-L5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610737 | KM416V4000BS-L6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610738 | KM416V4000C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
| 610739 | KM416V4000CS-45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 610740 | KM416V4000CS-5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610741 | KM416V4000CS-6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610742 | KM416V4000CS-L45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610743 | KM416V4000CS-L5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610744 | KM416V4000CS-L6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610745 | KM416V4004B | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 610746 | KM416V4004BS-45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 610747 | KM416V4004BS-5 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610748 | KM416V4004BS-6 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610749 | KM416V4004BSL-45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610750 | KM416V4004BSL-5 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610751 | KM416V4004BSL-6 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610752 | KM416V4004C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 610753 | KM416V4004CS-45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 610754 | KM416V4004CS-50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610755 | KM416V4004CS-60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610756 | KM416V4004CS-L45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610757 | KM416V4004CS-L50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610758 | KM416V4004CS-L60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610759 | KM416V4100B | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
| 610760 | KM416V4100BS-45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
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