| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 610761 | KM416V4100BS-5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610762 | KM416V4100BS-6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610763 | KM416V4100BS-L45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610764 | KM416V4100BS-L5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610765 | KM416V4100BS-L6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610766 | KM416V4100C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite Modus | Samsung Electronic |
| 610767 | KM416V4100CS-45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 610768 | KM416V4100CS-5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610769 | KM416V4100CS-6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610770 | KM416V4100CS-L45 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610771 | KM416V4100CS-L5 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610772 | KM416V4100CS-L6 | 4M x 16bit dynamischen CMOS RAM mit schnellen Seitenmodus 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610773 | KM416V4104B | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 610774 | KM416V4104BS-45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns | Samsung Electronic |
| 610775 | KM416V4104BS-5 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610776 | KM416V4104BS-6 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610777 | KM416V4104BSL-45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610778 | KM416V4104BSL-5 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610779 | KM416V4104BSL-6 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610780 | KM416V4104C | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 610781 | KM416V4104CS-45 | 4M x 16bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus | Samsung Electronic |
| 610782 | KM416V4104CS-50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns | Samsung Electronic |
| 610783 | KM416V4104CS-60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns | Samsung Electronic |
| 610784 | KM416V4104CS-L45 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 45ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610785 | KM416V4104CS-L50 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 50ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610786 | KM416V4104CS-L60 | 4M x 16bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 3,3V Stromversorgung, 60ns, geringer Strom | Samsung Electronic |
| 610787 | KM4170 | Niedrige Kosten, +2.7V U. +5V, Schiene-zu-Schiene I/O Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 610788 | KM4170IS5TR3 | Niedrige Kosten +2.7V U. +5V/ Schiene-zu-Schiene I/O Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 610789 | KM4170IT5TR3 | Niedrige Kosten +2.7V U. +5V/ Schiene-zu-Schiene I/O Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 610790 | KM418RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610791 | KM418RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610792 | KM418RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610793 | KM418RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610794 | KM418RD16D | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610795 | KM418RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610796 | KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610797 | KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610798 | KM418RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610799 | KM418RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 610800 | KM418RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x abhängige Bänke 16/18 Bit x 2*16 verweisen RDRAMTM | Samsung Electronic |
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