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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
881281MJ4035ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENST Microelectronics
881282MJ4035ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
881283MJ4035ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
881284MJ4035ENERGIE TRANSISTORS(16A, 60-100V, 150w)MOSPEC Semiconductor
881285MJ4035Verbleiter Energie Transistor DarlingtonCentral Semiconductor
881286MJ4035100V Darlington mittlerer Leistung komplementären Silizium-TransistorComset Semiconductors
881287MJ4035Darlington NPN Silizium-Leistungstransistor. 100 V, 16 A, 150 W.Motorola
881288MJ4105 SILIKON DES AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881289MJ411Zweipolige NPN VorrichtungSemeLAB
881290MJ41310 Ampere NPN Silikon-Energie Transistoren 125WMicro Commercial Components
881291MJ41310 SILIKON DER AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPNMotorola
881292MJ413Ic = 10A, VCE = 5,0V TransistorMCC
881293MJ420Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
881294MJ420SVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
881295MJ421Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
881296MJ421SVerbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
881297MJ42310 Ampere NPN Silikon-Energie Transistoren 125WMicro Commercial Components
881298MJ423Ic = 10A, VCE = 5,0V TransistorMCC



881299MJ423Hochspannungs-NPN Silizium-TransistorMotorola
881300MJ423Hochspannungs-NPN Silikon-TransistorON Semiconductor
881301MJ423-DHoch-Spannung NPN Silikon-TransistorON Semiconductor
881302MJ43110 Ampere NPN Silikon-Energie Transistoren 125WMicro Commercial Components
881303MJ431Ic = 10A, VCE = 5,0V TransistorMCC
881304MJ4502ENERGIE TRANSISTORS(30A, 100v, 200w)MOSPEC Semiconductor
881305MJ450230 SILIKON DES AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-PNP 100 VOLT 200 WATTMotorola
881306MJ4502Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
881307MJ4502Energie 30A 100V Getrenntes PNPON Semiconductor
881308MJ4502Energie 30A 100V Getrenntes PNPON Semiconductor
881309MJ4502ERGÄNZENDE HOHE ENERGIE TRANSISTORENST Microelectronics
881310MJ4502ZUSÄTZLICHE HOCHLeistungsTransistorenSGS Thomson Microelectronics
881311MJ4502PNP. Planar Siliziumtransistor. Audio-Leistungsverstärker DC-DC Wandler.Wing Shing Computer Components
881312MJ4502-DHoch-Energie PNP Silikon-TransistorON Semiconductor
881313MJ4646Zweipolige PNP VorrichtungSemeLAB
881314MJ490Zweipolige PNP VorrichtungSemeLAB
881315MJ491Zweipolige PNP VorrichtungSemeLAB
881316MJ802ENERGIE TRANSISTORS(30A, 100v, 200w)MOSPEC Semiconductor
881317MJ802NPN PLANARES ENDVERSTÄRKER-DC DES SILIKON-TRANSISTOR(AUDIO ZUM DC KONVERTER)Wing Shing Computer Components
881318MJ80230 SILIKON DES AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-NPN 100 VOLT 200 WATTMotorola
881319MJ802Verbleiter Energie Transistor-Universeller ZweckCentral Semiconductor
881320MJ802Energie 30A 90V Getrenntes NPNON Semiconductor
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