| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 881361 | MJD1121 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 2 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881362 | MJD112L | Darlington Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 881363 | MJD112RL | Energie 2A 100V Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 881364 | MJD112T4 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 2 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881365 | MJD112T4 | Energie 2A 100V Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 881366 | MJD112T4 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881367 | MJD112TF | NPN Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881368 | MJD117 | PNP Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881369 | MJD117 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881370 | MJD117 | Darlington Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 881371 | MJD117 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881372 | MJD117 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881373 | MJD117 | Energie 2A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881374 | MJD117 | Ergänzende Darlington Leistungstransistor | Motorola |
| 881375 | MJD117-001 | Energie 2A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881376 | MJD117L | Darlington Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 881377 | MJD117T4 | Energie 2A 100V Darlington PNP | ON Semiconductor |
| 881378 | MJD117T4 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881379 | MJD117TF | PNP Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881380 | MJD122 | PNP Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881381 | MJD122 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881382 | MJD122 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881383 | MJD122 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881384 | MJD122 | Energie 8A 100V NPN | ON Semiconductor |
| 881385 | MJD122 | ERGÄNZENDE ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881386 | MJD122-1 | ERGÄNZENDE ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881387 | MJD122-1 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881388 | MJD122-1 | NPN-Transistor, für allgemeine Verstärker und Low-Speed ??Schaltanwendungen, 100V, 8A | Fairchild Semiconductor |
| 881389 | MJD122-1 | NPN-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 8A | ON Semiconductor |
| 881390 | MJD122-1 | NPN Darlington-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 881391 | MJD122-D | Ergänzende Darlington Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
| 881392 | MJD122T4 | ERGÄNZENDE ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881393 | MJD122T4 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 8 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881394 | MJD122T4 | Energie 8A 100V NPN | ON Semiconductor |
| 881395 | MJD122T4 | NPN-Transistor, für allgemeine Verstärker und Low-Speed ??Schaltanwendungen, 100V, 8A | Fairchild Semiconductor |
| 881396 | MJD122T4 | NPN Darlington-Transistor für hohe Gleichstromverstärkung, 100V, 5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 881397 | MJD122TF | NPN Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881398 | MJD127 | PNP Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881399 | MJD127 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881400 | MJD127 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
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