| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 881321 | MJ802 | Energie 30A 90V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 881322 | MJ802 | ENERGIE TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | ST Microelectronics |
| 881323 | MJ802 | hfe Min 25 Transistorpolung NPN Aktuelle Ic dauernd max 30 A Spannung Vceo 90 V Strom Ic (HFE) 7,5 A Leistung Ptot 200 W Temperaturleistung 25? C Transistoren Zahl von 1 | SGS Thomson Microelectronics |
| 881324 | MJ802-D | Hoch-Energie NPN Silikon-Transistor | ON Semiconductor |
| 881325 | MJ8100 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 881326 | MJ8100 | Zweipolige PNP Vorrichtung in einem hermetisch Siegel-paket des Metallto39. | SemeLAB |
| 881327 | MJ8504 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Motorola |
| 881328 | MJ8504 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Motorola |
| 881329 | MJ8505 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Motorola |
| 881330 | MJ8505 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Motorola |
| 881331 | MJ900 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 881332 | MJ900 | 60V komplementären Leistungs Darlington | Comset Semiconductors |
| 881333 | MJ901 | Verbleiter Energie Transistor Darlington | Central Semiconductor |
| 881334 | MJ901 | 80V komplementären Leistungs Darlington | Comset Semiconductors |
| 881335 | MJB18004D2T4-D | Zweipoliger NPN Energie Transistor des Schnell-, hohen Gewinn-mit integrierter Kollektor-Emitter Diode und eingebautes leistungsfähiges Antisaturation Netz D2PAK für Oberflächeneinfassung ENERGIE TRANSISTOREN 5 AMPERE 1000 VOLT 75 W | ON Semiconductor |
| 881336 | MJB32B | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | ST Microelectronics |
| 881337 | MJB32B | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 881338 | MJB41C | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881339 | MJB41C-D | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistoren D2PAK für Oberflächeneinfassung | ON Semiconductor |
| 881340 | MJB41CT4 | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881341 | MJB42C | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881342 | MJB42CT4 | Ergänzendes Silikon-Plastikenergie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881343 | MJB44H11 | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881344 | MJB44H11-D | Ergänzende Energie Transistoren D2 PAK für Oberflächeneinfassung | ON Semiconductor |
| 881345 | MJB44H11T4 | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881346 | MJB44H11T4 | Niederspannungs-NPN-Leistungstransistor | ST Microelectronics |
| 881347 | MJB44H11T4-A | Automotive-Niederspannungs-NPN-Leistungstransistor | ST Microelectronics |
| 881348 | MJB45H11 | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881349 | MJB45H11T4 | Ergänzende Energie Transistoren | ON Semiconductor |
| 881350 | MJB5742 | NPN Power Darlington-Transistor | ON Semiconductor |
| 881351 | MJD112 | NPN Silikon Darlington Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 881352 | MJD112 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 881353 | MJD112 | Darlington Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 881354 | MJD112 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881355 | MJD112 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 881356 | MJD112 | SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 2 AMPERE 100 VOLT 20 WATT | Motorola |
| 881357 | MJD112 | Energie 2A 100V Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 881358 | MJD112-001 | Energie 2A 100V Darlington NPN | ON Semiconductor |
| 881359 | MJD112-1 | Ergänzende Darlington Leistungstransistoren | ON Semiconductor |
| 881360 | MJD112-D | Ergänzende Darlington Energie Transistoren DPAK Für Oberflächeneinfassung Anwendungen | ON Semiconductor |
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