|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 39056 English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
35101NDF06N60ZPower MOSFET, N-Kanal, 600 V, 1,2 OON Semiconductor
35102NDF06N62ZPower MOSFET 620V 1,2 Ohm Single N-KanalON Semiconductor
35103NDF08N50ZPower MOSFET 500V 0,850 Ohm Single N-KanalON Semiconductor
35104NDF08N60ZPower MOSFET 600V 0,95 Ohm Single N-KanalON Semiconductor
35105NDF10N60ZPower MOSFET, N-Kanal, 600 V, 0,75 OON Semiconductor
35106NDF10N62ZPower MOSFET 620V 0,750 Ohm Single N-KanalON Semiconductor
35107NDF11N50ZPower MOSFET 500V 0,52 Ohm Single N-KanalON Semiconductor
35108NDF60N360U1N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 600 V, 360 mOhmON Semiconductor
35109NE521High-Speed-, Doppel-Differential-Komparator / Sense AmpON Semiconductor
35110NE5230Operationsverstärker, NiederspannungON Semiconductor



35111NE5517Dual-TranskonduktanzoperationsverstärkersON Semiconductor
35112NE5532Operationsverstärker, intern kompensiert, Low Noise, DoppelON Semiconductor
35113NE5534Operationsverstärker, Low Noise, SingleON Semiconductor
35114NE570CompandorON Semiconductor
35115NE592Video-VerstärkerON Semiconductor
35116NGB15N41CLT4Zündung IGBT DPAK 15 Ampere, 410 Volt, 2.1 V(max)ON Semiconductor
35117NGB18N40CLBZündung IGBT in D2ak (Gen3) mit verbesserter SCIS Energie und Vce(on)ON Semiconductor
35118NGB18N40CLBT4Zündung IGBT in D2ak (Gen3) mit verbesserter SCIS Energie und Vce(on)ON Semiconductor
35119NGB8202NZündung IGBT 20 A, 400 V, N-Führung D<sup>2</sup>PAKON Semiconductor
35120NGB8202NT4Zündung IGBT 20 A, 400 V, N-Führung D<sup>2</sup>PAKON Semiconductor
35121NGB8204NIgnition IGBT, 18 A, 400 V, N-Kanal D 2 PAKON Semiconductor
35122NGB8206NIgnition IGBT, N-Kanal, 20 A, 350 V, D 2 PAKON Semiconductor
35123NGB8207ANIgnition IGBT, N-Kanal, 20 A, 365 V, D2PAKON Semiconductor
35124NGB8207NIgnition IGBT, N-Kanal, 20 A, 365 V, D2PAKON Semiconductor
35125NGB8245NIgnition IGBT, N-Kanal, 20 A, 450 V, D2PAKON Semiconductor
35126NGD15N41CLZündung IGBT 15 Ampere, 410 VoltON Semiconductor
35127NGD15N41CL-DZündung IGBT 15 Ampere, 410 Volt N-Führung DPAK, D2PAK und TO-220ON Semiconductor
35128NGD15N41CLT4Zündung IGBT DPAK 15 Ampere, 410 Volt, 2.1 V(max)ON Semiconductor
35129NGD18N40CLBZündung IGBT 18 A, 400 V, N-N-Ch DPak mit verbesserter SCIS Energie und Vce(on)ON Semiconductor
35130NGD18N40CLBT4Zündung IGBT 18 A, 400 V, N-N-Ch DPak mit verbesserter SCIS Energie und Vce(on)ON Semiconductor
35131NGD18N45CLBIgnition IGBT, N-Kanal, 18 A, 450 V, DPAKON Semiconductor
35132NGD8201NZündung IGBT 20 A, 400 V, N-Führung DPAKON Semiconductor
35133NGD8201NT4Zündung IGBT 20 A, 400 V, N-Führung DPAKON Semiconductor
35134NGD8205NIgnition IGBT, N-Kanal, 20 A, 350 V, DPAKON Semiconductor
35135NGD8209NIgnition IGBTON Semiconductor
35136NGP15N41CLZündung IGBT 15 Ampere, 410 VoltON Semiconductor
35137NGP8203NIgnition IGBT 20 A, 400 V, N-Kanal-TO-220ON Semiconductor
35138NGTB15N120FLWIGBT 1200V 15A FS1 Solar / UPSON Semiconductor
35139NGTB15N120IHLIGBT 1200V 15A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35140NGTB15N120IHRIGBT mit Monolithic FreilaufdiodeON Semiconductor
35141NGTB15N120LIGBT 1200V 15A FS1 Gen MktON Semiconductor
35142NGTB15N135IHRIGBT mit Monolithic FreilaufdiodeON Semiconductor
35143NGTB15N60EIGBT - Kurzschluss-bewertetON Semiconductor
35144NGTB15N60S1EIGBT - Kurzschluss-bewertetON Semiconductor
35145NGTB20N120IHLIGBT 1200V 20A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35146NGTB20N120IHRIGBT 1200V 20A FS2-RC Induction HeatingON Semiconductor
35147NGTB20N120IHSIGBT 1200V 20A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35148NGTB20N120LIGBT 1200V 20A FS1 Gen MktON Semiconductor
35149NGTB20N135IHRIGBT mit Monolithic FreilaufdiodeON Semiconductor
35150NGTB25N120FLWIGBT 1200V 25A FS1 Solar / UPSON Semiconductor
35151NGTB25N120IHLWIGBT 1200V 25A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35152NGTB25N120LIGBT 1200V 25A FS1 Gen MktON Semiconductor
35153NGTB30N120FL2WIGBT - Feldstop IION Semiconductor
35154NGTB30N120IHLIGBT 1200V 30A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35155NGTB30N120IHRIGBT mit Monolithic FreilaufdiodeON Semiconductor
35156NGTB30N120IHSWIGBT 1200V 30A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35157NGTB30N120LIGBT 1200V 30A FS1 Gen MktON Semiconductor
35158NGTB30N120L2WIGBT - Feldstop IION Semiconductor
35159NGTB30N135IHRIGBT 1350V 30A FS2-RC Induction HeatingON Semiconductor
35160NGTB30N60FLWIGBT 600V 30A FS1 Solar / UPSON Semiconductor
35161NGTB30N60FWIGBT 600V 30A Gen MktON Semiconductor
35162NGTB30N60IHLWIGBT 600V 30A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35163NGTB40N120FL2WIGBT - Feldstop IION Semiconductor
35164NGTB40N120FLWIGBT 1200V 40A FS1 Solar / UPSON Semiconductor
35165NGTB40N120IHLWIGBT 1200V 40A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35166NGTB40N120IHRIGBT mit Monolithic FreilaufdiodeON Semiconductor
35167NGTB40N120LIGBT 1200V 40A FS1 Gen MktON Semiconductor
35168NGTB40N135IHRIGBT mit Monolithic FreilaufdiodeON Semiconductor
35169NGTB40N60FLWIGBT 600V 40A FS1 Solar / UPSON Semiconductor
35170NGTB40N60IHLWIGBT 600V 40A FS1 Induction HeatingON Semiconductor
35171NGTB50N120FL2WIGBT - Feldstop IION Semiconductor
35172NGTB50N60FLWIGBT 600V 50A FS1 Solar / UPSON Semiconductor
35173NGTB50N60FWIGBT 600V 50A Gen MktON Semiconductor
35174NGTB50N60L2WIGBTON Semiconductor
35175NGTB75N60FL2WIGBTON Semiconductor
35176NGTB75N65FL2WIGBTON Semiconductor
35177NGTG15N60S1EIGBT - Kurzschluss-bewertetON Semiconductor
35178NGTG20N60L2TF1GN-Channel IGBT 600V, 20A, VCE (sat); 1.45V Einzel TO-3PF-3LON Semiconductor
35179NGTG30N60FLWIGBT 600V 30A nur PFC High FrequencyON Semiconductor
35180NGTG30N60FWIGBT 600V 30A nur PFCON Semiconductor
35181NGTG50N60FLWIGBTON Semiconductor
35182NGTG50N60FWIGBT 600V 50A nur PFCON Semiconductor
35183NHPV08S600SchaltnetzgleichrichterON Semiconductor
35184NHPV15S600SchaltnetzgleichrichterON Semiconductor
35185NIB6404-5L-DHDPlus 52 Ampere, 40 Volt Selbst-geschützt mit Temperatur-Richtung N-Führung D2PAKON Semiconductor
35186NIC9N05TS1Geschützte Power MOSFET 2,6 A, 52 V, N-Kanal-, Logic-Level, Clamped MOSFET w / ESD-SchutzON Semiconductor
35187NID5001NSelbst-geschütztes SmartDiscrete, Klemmplatte 42V, Temperatur u. gegenwärtige Begrenzung, ESD, DPAKON Semiconductor
35188NID5001NT4Selbst-geschütztes SmartDiscrete, Klemmplatte 42V, Temperatur u. gegenwärtige Begrenzung, ESD, DPAKON Semiconductor
35189NID5001NT4GSelbst-geschütztes SmartDiscrete, Klemmplatte 42V, Temperatur u. gegenwärtige Begrenzung, ESD, DPAKON Semiconductor
35190NID5003NSelbst-Geschützter FET mit Temperatur und gegenwärtiger Begrenzung 42 V, 20 A, einzelne N-Führung, DPAKON Semiconductor
35191NID5003NT4Selbst-Geschützter FET mit Temperatur und gegenwärtiger Begrenzung 42 V, 20 A, einzelne N-Führung, DPAKON Semiconductor
35192NID5004NSelf-Protected FET mit Temperatur-und Strombegrenzung 40 V, 6,5 A, Single N-Channel, DPAKON Semiconductor
35193NID6002NSelf-Protected FET mit Temperatur-und Strombegrenzung 65 V, 6,5 A, Single N-Channel, DPAKON Semiconductor
35194NID9N05CLEnergie MOSFET 9 A, 52 V, N-Führung, Logik-Niveau, klemmte MOSFET w/ESD Schutz in einem DPAK Paket festON Semiconductor
35195NID9N05CLT4Energie MOSFET 9 A, 52 V, N-Führung, Logik-Niveau, klemmte MOSFET w/ESD Schutz in einem DPAK Paket festON Semiconductor
35196NID9N05CLT4GEnergie MOSFET 9 A, 52 V, N-Führung, Logik-Niveau, klemmte MOSFET w/ESD Schutz in einem DPAK Paket festON Semiconductor
35197NIF5002NSelbst-Geschützter Fet mit Temperatur und gegenwärtiger Begrenzung 42 V 2.0 eine einzelne N Führung SOT-223ON Semiconductor
35198NIF5002NDSelbst-Geschützter FET mit Temperatur und gegenwärtiger BegrenzungON Semiconductor
35199NIF5002NT1Selbst-Geschützter Fet mit Temperatur und gegenwärtiger Begrenzung 42 V 2.0 eine einzelne N Führung SOT-223ON Semiconductor
35200NIF5002NT1GSelbst-Geschützter Fet mit Temperatur und gegenwärtiger Begrenzung 42 V 2.0 eine einzelne N Führung SOT-223ON Semiconductor



Seite: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 | 257 | 258 | 259 | 260 | 261 | 262 | 263 | 264 | 265 | 266 | 267 | 268 | 269 | 270 | 271 | 272 | 273 | 274 | 275 | 276 | 277 | 278 | 279 | 280 | 281 | 282 | 283 | 284 | 285 | 286 | 287 | 288 | 289 | 290 | 291 | 292 | 293 | 294 | 295 | 296 | 297 | 298 | 299 | 300 | 301 | 302 | 303 | 304 | 305 | 306 | 307 | 308 | 309 | 310 | 311 | 312 | 313 | 314 | 315 | 316 | 317 | 318 | 319 | 320 | 321 | 322 | 323 | 324 | 325 | 326 | 327 | 328 | 329 | 330 | 331 | 332 | 333 | 334 | 335 | 336 | 337 | 338 | 339 | 340 | 341 | 342 | 343 | 344 | 345 | 346 | 347 | 348 | 349 | 350 | 351 | 352 | 353 | 354 | 355 | 356 | 357 | 358 | 359 | 360 | 361 | 362 | 363 | 364 | 365 | 366 | 367 | 368 | 369 | 370 | 371 | 372 | 373 | 374 | 375 | 376 | 377 | 378 | 379 | 380 | 381 | 382 | 383 | 384 | 385 | 386 | 387 | 388 | 389 | 390 | 391 |



© 2018    www.datasheetcatalog.net/de/onsemiconductor/1/