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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1012N2907UNIVERSELLE VERSTÄRKER UND SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1022N2907UNIVERSELLE VERSTÄRKER UND SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1032N2907AUNIVERSELLE VERSTÄRKER UND SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1042N2907AUNIVERSELLE VERSTÄRKER UND SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1052N3019STARK GEGENWÄRTIGE, HOCHFREQUENZVERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
1062N3055ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1072N3055ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1082N3209GESÄTTIGTE SCHNELLSCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1092N3439TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1102N3439TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics



1112N3440TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1122N3440TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1132N3600HOCHFREQUENTE Oszillatoren und VERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
1142N3700UNIVERSELLE VERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
1152N3725HOCHSPANNUNG, HOHER GEGENWÄRTIGER SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1162N3771HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1172N3771HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1182N3772HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1192N3772HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1202N3904KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-NPNSGS Thomson Microelectronics
1212N3904-APKLEINE SIGNAL NPN-TransistorSGS Thomson Microelectronics
1222N3906KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-PNPSGS Thomson Microelectronics
1232N3906-APKLEINE SIGNAL-PNP-TransistorSGS Thomson Microelectronics
1242N4014HIGH-VOLTAGE, HOHER GEGENWÄRTIGER SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1252N4033UNIVERSELLER VERSTÄRKER UND SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1262N4036MEDIUM-SPEED SCHALTERSGS Thomson Microelectronics
1272N4427ft min 500MHz hfe Min 10 Transistorpolung NPN Aktuelle Ic dauernd max 0,5 A Spannung 40 V VCBO Vceo Spannung 20 V Strom Ic (HFE) 100mA Leistung Ptot 3,5 WSGS Thomson Microelectronics
1282N5038HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPNSGS Thomson Microelectronics
1292N5038HOHER SILIKON-TRANSISTOR DES STROM-NPNSGS Thomson Microelectronics
1302N5179TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1312N5191MITTLERE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1322N5192MITTLERE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1332N5195MITTLERER ENERGIE PNP SILIKON-TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1342N5320KLEINE TRANSISTOREN DES SIGNAL-NPNSGS Thomson Microelectronics
1352N5321KLEINE TRANSISTOREN DES SIGNAL-NPNSGS Thomson Microelectronics
1362N5322KLEINE TRANSISTOREN DES SIGNAL-PNPSGS Thomson Microelectronics
1372N5323KLEINE SIGNAL PNP-TransistorenSGS Thomson Microelectronics
1382N5415TRANSISTOREN DES SILIKON-PNPSGS Thomson Microelectronics
1392N5415SHIGH-VOLTAGE VERSTÄRKERSGS Thomson Microelectronics
1402N5416TRANSISTOREN DES SILIKON-PNPSGS Thomson Microelectronics
1412N5641V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 15W; VHF-LeistungstransistorSGS Thomson Microelectronics
1422N5642V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 30W; VHF-LeistungstransistorSGS Thomson Microelectronics
1432N5643V (CBO): 65V; V (CEO): 35V; V (EBO): 4V; 60W; VHF-LeistungstransistorSGS Thomson Microelectronics
1442N5657TRANSISTOR DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1452N5657TRANSISTOR DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1462N5681TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1472N5681TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1482N5682TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1492N5682TRANSISTOREN DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1502N5884hfe Min 20 Transistorpolung PNP Aktuelle Ic dauernd max 25 A Spannung Vceo 80 V Strom Ic (HFE) 10 A Leistung Ptot 200 W Temperaturleistung 25? C Transistoren Zahl von 1SGS Thomson Microelectronics
1512N5886HOHER GEGENWÄRTIGER ENERGIE TRANSISTOR DES SILIKON-NPNSGS Thomson Microelectronics
1522N6034PNP mittlerer Leistung Darlington-Transistor, 4A, 40VSGS Thomson Microelectronics
1532N6035PNP mittlerer Leistung Darlington-Transistor, 4A, 60VSGS Thomson Microelectronics
1542N6036ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1552N6036ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1562N6037NPN mittlerer Leistung Darlington-Transistor, 4A, 40VSGS Thomson Microelectronics
1572N6038NPN mittlerer Leistung Darlington-Transistor, 4A, 60VSGS Thomson Microelectronics
1582N6039ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1592N6039ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1602N6059ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-NPN TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1612N6080V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; VHF Kommunikation TransistorSGS Thomson Microelectronics
1622N6081V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; VHF Kommunikation TransistorSGS Thomson Microelectronics
1632N6082V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; VHF Kommunikation TransistorSGS Thomson Microelectronics
1642N6083V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; VHF Kommunikation TransistorSGS Thomson Microelectronics
1652N6084V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (ebo): 4V; VHF Kommunikation TransistorSGS Thomson Microelectronics
1662N6107SCHALTUNG TRANSISTOREN DES SILIKON-PNPSGS Thomson Microelectronics
1672N6107SCHALTUNG TRANSISTOREN DES SILIKON-PNPSGS Thomson Microelectronics
1682N6111SCHALTUNG TRANSISTOREN DES SILIKON-PNPSGS Thomson Microelectronics
1692N6111SCHALTUNG TRANSISTOREN DES SILIKON-PNPSGS Thomson Microelectronics
1702N6284ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1712N6284ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1722N6287ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1732N6287ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE DARLINGTON TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1742N6388ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-NPN TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1752N6388ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-NPN TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1762N6487ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1772N6487ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1782N6488ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1792N6488ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1802N6490ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1812N6490ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTORENSGS Thomson Microelectronics
1822N6546MESA MULTIEPITAXIAL NPNSGS Thomson Microelectronics
1832N6547HOHE ENERGIE NPN SILIKON-TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1842N6668ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-PNP TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1852N6668ENERGIE DARLINGTON DES SILIKON-PNP TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1862N720AHOCHSPANNUNGSUNIVERSELLER ZWECKSGS Thomson Microelectronics
1872N918hfe Min 20 ft typ Transistorpolung 600 MHz NPN Aktuelle Ic dauernd max 0,05 A Spannung VCBO 30 V Spannungs Vceo 15 V Gleichstrom Ic (HFE) 3 mA Leistung Ptot 0,2 WSGS Thomson Microelectronics
1882N930TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
1892SD1398RF & Microwave Transistor 850-960 MHz-Anwendungen, 24 Volt, 53WSGS Thomson Microelectronics
1902SD1414HF & Mikrowellentransistoren 800-900 MHz ANWENDUNGENSGS Thomson Microelectronics
1914027DUAL JK MASTER-Slave-FlipflopsSGS Thomson Microelectronics
192405NPN Silikon RF TransistorSGS Thomson Microelectronics
1934066QUAD zweiseitigen Schalter für die Übertragung oder Multiplexen von analogen oder digitalen SignalenSGS Thomson Microelectronics
194420NPN Silikon RF TransistorSGS Thomson Microelectronics
195486DX-COREVÖLLIG STATISCHER 3.3V 486 ASIC KERNSGS Thomson Microelectronics
1967001900 MHz DREI GAIN LEVEL LNASGS Thomson Microelectronics
19770021.8GHz DREI GAIN LEVEL LNASGS Thomson Microelectronics
1987003Tri-Band GSM / DCS / PCS LNASGS Thomson Microelectronics
1997314Digital gesteuerten AUDIO PROZESSOR mit der LautstärkeSGS Thomson Microelectronics
2007343Digital gesteuerte AUDIO PROZESSORSGS Thomson Microelectronics



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