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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
64101STGW45NC60VD45 A, 600 V, sehr schnell IGBTST Microelectronics
64102STGW45NC60WDUltraschnelle "W" -SerieST Microelectronics
64103STGW50H60DF50 A, 600 V Feldblende Graben-Gate-IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
64104STGW50HF60S60 A, 600 V, sehr niedrige Drop-IGBTST Microelectronics
64105STGW50HF60SD60 A, 600 V, sehr niedrige Drop-IGBT mit weichen und Fast Recovery DiodeST Microelectronics
64106STGW50HF65SD60 A, 650 V, sehr niedrige Drop-IGBT mit weichen und Fast Recovery DiodeST Microelectronics
64107STGW50NB60HN-CHANNEL 50A - 600V TO-247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64108STGW50NB60MN-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64109STGW50NC60WUltraschnelle "W" -SerieST Microelectronics
64110STGW60H60DLFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 60 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics



64111STGW60H65DF60 A, 650 V Feldblende Graben-Gate-IGBT mit sehr schnellen DiodeST Microelectronics
64112STGW60H65DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64113STGW60H65DRF60 A, 650 V Feldblende Graben-Gate-IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
64114STGW60H65F60 A, 650 V Feldblende Graben-Gate-IGBTST Microelectronics
64115STGW60H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64116STGW60V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 60 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64117STGW60V60FTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 60 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64118STGW80H65DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64119STGW80H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64120STGW80V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64121STGW80V60FTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64122STGWA15M120DF3Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, der M-Serie 1200 V, 15 A geringer VerlustST Microelectronics
64123STGWA19NC60HD31 A, 600 V, sehr schnell IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
64124STGWA25M120DF3Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, der M-Serie 1200 V, 25 A geringer VerlustST Microelectronics
64125STGWA30N120KD30 A, 1200 V Kurzschluss robusten IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
64126STGWA35HF60WDI35 A, 600 V ultra IGBT mit Low Drop-DiodeST Microelectronics
64127STGWA40M120DF3Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, der M-Serie 1200 V, 40 A geringer VerlustST Microelectronics
64128STGWA40N120KD40 A, 1200 V Kurzschluss robusten IGBT mit Ultraschnelle DiodenST Microelectronics
64129STGWA60NC60WDR60 A, 600 V, ultra IGBTST Microelectronics
64130STGWA80H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64131STGWF30NC60S30 A, 600 V, schnell IGBTST Microelectronics
64132STGWT20H60DF600 V, 20 A Hochgeschwindigkeits-Trench-Gate-Feldstopp-IGBTST Microelectronics
64133STGWT20H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 20 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64134STGWT20IH125DF1250 V, 20 A IH Serie Trench-Gate-Feldstopp-IGBTST Microelectronics
64135STGWT20V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 20 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64136STGWT20V60FTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 20 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64137STGWT28IH125DF1250 V, 25 A IH Serie Trench-Gate-Feldstopp-IGBTST Microelectronics
64138STGWT30H60DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 30 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64139STGWT30H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 30 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64140STGWT30V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 30 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64141STGWT30V60FTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 30 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64142STGWT38IH130D33 A - 1300 V - sehr schnell IGBTST Microelectronics
64143STGWT40H60DLFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 40 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64144STGWT40H65DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 40 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64145STGWT40H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 40 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64146STGWT40V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 40 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64147STGWT40V60DLFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 40 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64148STGWT50HF65SD60 A, 650 V, sehr niedrige Drop-IGBT mit weichen und Fast Recovery DiodeST Microelectronics
64149STGWT60H60DLFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 60 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64150STGWT60H65DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64151STGWT60H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64152STGWT60V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 60 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64153STGWT80H65DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64154STGWT80H65FBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64155STGWT80V60DFTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64156STGWT80V60FTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64157STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Sehr Schnelles PowerMESH?? IGBTST Microelectronics
64158STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Sehr Schnelles PowerMESH?? IGBTST Microelectronics
64159STGY40NC60VDN-CHANNEL 50A - 600V MAX247 SEHR SCHNELLES POWERMESH "IGBTST Microelectronics
64160STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
64161STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
64162STGY50NB60HDN-CHANNEL 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
64163STGY50NC60WDUltraschnelle "W" -SerieST Microelectronics
64164STGY80H65DFBTrench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher GeschwindigkeitST Microelectronics
64165STH10NA50FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64166STH10NC60FIN-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
64167STH110N10F7-2N-Kanal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64168STH110N10F7-6N-Kanal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64169STH12N120K5-2N-Kanal 1200 V, 0,58 Ohm typ. 12 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64170STH12NA60FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64171STH130N10F3-2N-Kanal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64172STH13NB60N - FÜHRUNG 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHMosfetST Microelectronics
64173STH13NB60N - FÜHRUNG 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHMosfetST Microelectronics
64174STH13NB60FIN-CHANNEL 600V - 0.48 OHM - 13A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
64175STH140N8F7-2N-Kanal-80 V, 3,3 mOhm typ. 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64176STH150N10F7-2N-Kanal 100 V, 0,0038 Ohm typ. 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64177STH15NA50FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64178STH15NB50FIN-CHANNLE VERBESSERUNG MODUS-SEHR NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG ENERGIE MOS TRANSISTORST Microelectronics
64179STH16NA40FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
64180STH180N10F3-2N-Kanal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2ST Microelectronics
64181STH180N10F3-6N-Kanal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFETST Microelectronics
64182STH185N10F3-2Automotive-N-Kanal 100 V, 3,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64183STH18NB40N-CHANNEL 400V 0.19 OHM18.4A TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
64184STH18NB40FIN-CHANNEL 400V 0.19 OHM18.4A TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
64185STH210N75F6-2N-Kanal-75 V, 0,0027 Ohm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64186STH240N10F7-2N-Kanal 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64187STH240N10F7-6N-Kanal 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64188STH240N75F3-2N-Kanal-75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64189STH240N75F3-6N-Kanal-75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64190STH245N75F3-6Automotive-N-Kanal-75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64191STH250N55F3-6N-Kanal-55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III-Leistungs-MOSFETST Microelectronics
64192STH260N6F6-2N-Kanal-60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64193STH260N6F6-6N-Kanal-60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64194STH270N4F3-2N-Kanal-40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64195STH270N4F3-6N-Kanal-40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64196STH270N8F7-2N-Kanal-80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64197STH270N8F7-6N-Kanal-80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64198STH300NH02L-6N-Kanal-24 V, 0,95 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) Power MOSFET in einem H2PAK-6-PaketST Microelectronics
64199STH310N10F7-2N-Kanal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-PaketST Microelectronics
64200STH310N10F7-6N-Kanal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-PaketST Microelectronics



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