64111 | STGW60H65DF | 60 A, 650 V Feldblende Graben-Gate-IGBT mit sehr schnellen Diode | ST Microelectronics |
64112 | STGW60H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64113 | STGW60H65DRF | 60 A, 650 V Feldblende Graben-Gate-IGBT mit Ultraschnelle Dioden | ST Microelectronics |
64114 | STGW60H65F | 60 A, 650 V Feldblende Graben-Gate-IGBT | ST Microelectronics |
64115 | STGW60H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64116 | STGW60V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 60 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64117 | STGW60V60F | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 60 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64118 | STGW80H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64119 | STGW80H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64120 | STGW80V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64121 | STGW80V60F | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64122 | STGWA15M120DF3 | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, der M-Serie 1200 V, 15 A geringer Verlust | ST Microelectronics |
64123 | STGWA19NC60HD | 31 A, 600 V, sehr schnell IGBT mit Ultraschnelle Dioden | ST Microelectronics |
64124 | STGWA25M120DF3 | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, der M-Serie 1200 V, 25 A geringer Verlust | ST Microelectronics |
64125 | STGWA30N120KD | 30 A, 1200 V Kurzschluss robusten IGBT mit Ultraschnelle Dioden | ST Microelectronics |
64126 | STGWA35HF60WDI | 35 A, 600 V ultra IGBT mit Low Drop-Diode | ST Microelectronics |
64127 | STGWA40M120DF3 | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, der M-Serie 1200 V, 40 A geringer Verlust | ST Microelectronics |
64128 | STGWA40N120KD | 40 A, 1200 V Kurzschluss robusten IGBT mit Ultraschnelle Dioden | ST Microelectronics |
64129 | STGWA60NC60WDR | 60 A, 600 V, ultra IGBT | ST Microelectronics |
64130 | STGWA80H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64131 | STGWF30NC60S | 30 A, 600 V, schnell IGBT | ST Microelectronics |
64132 | STGWT20H60DF | 600 V, 20 A Hochgeschwindigkeits-Trench-Gate-Feldstopp-IGBT | ST Microelectronics |
64133 | STGWT20H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 20 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64134 | STGWT20IH125DF | 1250 V, 20 A IH Serie Trench-Gate-Feldstopp-IGBT | ST Microelectronics |
64135 | STGWT20V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 20 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64136 | STGWT20V60F | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 20 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64137 | STGWT28IH125DF | 1250 V, 25 A IH Serie Trench-Gate-Feldstopp-IGBT | ST Microelectronics |
64138 | STGWT30H60DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 30 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64139 | STGWT30H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 30 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64140 | STGWT30V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 30 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64141 | STGWT30V60F | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 30 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64142 | STGWT38IH130D | 33 A - 1300 V - sehr schnell IGBT | ST Microelectronics |
64143 | STGWT40H60DLFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 40 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64144 | STGWT40H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 40 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64145 | STGWT40H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 40 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64146 | STGWT40V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 40 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64147 | STGWT40V60DLF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 40 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64148 | STGWT50HF65SD | 60 A, 650 V, sehr niedrige Drop-IGBT mit weichen und Fast Recovery Diode | ST Microelectronics |
64149 | STGWT60H60DLFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 600 V, 60 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64150 | STGWT60H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64151 | STGWT60H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 60 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64152 | STGWT60V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 60 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64153 | STGWT80H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64154 | STGWT80H65FB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64155 | STGWT80V60DF | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64156 | STGWT80V60F | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, V-Serie 600 V, 80 A mit sehr hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64157 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Sehr Schnelles PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
64158 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Sehr Schnelles PowerMESH?? IGBT | ST Microelectronics |
64159 | STGY40NC60VD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 SEHR SCHNELLES POWERMESH "IGBT | ST Microelectronics |
64160 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
64161 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
64162 | STGY50NB60HD | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
64163 | STGY50NC60WD | Ultraschnelle "W" -Serie | ST Microelectronics |
64164 | STGY80H65DFB | Trench-Gate-Feldstopp-IGBT, HB-Serie 650 V, 80 A mit hoher Geschwindigkeit | ST Microelectronics |
64165 | STH10NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
64166 | STH10NC60FI | N-CHANNEL 600V - 0.6 OHM - 10A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
64167 | STH110N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64168 | STH110N10F7-6 | N-Kanal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64169 | STH12N120K5-2 | N-Kanal 1200 V, 0,58 Ohm typ. 12 A Zener-geschützt SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64170 | STH12NA60FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
64171 | STH130N10F3-2 | N-Kanal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64172 | STH13NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHMosfet | ST Microelectronics |
64173 | STH13NB60 | N - FÜHRUNG 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESHMosfet | ST Microelectronics |
64174 | STH13NB60FI | N-CHANNEL 600V - 0.48 OHM - 13A - TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
64175 | STH140N8F7-2 | N-Kanal-80 V, 3,3 mOhm typ. 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64176 | STH150N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 0,0038 Ohm typ. 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64177 | STH15NA50FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
64178 | STH15NB50FI | N-CHANNLE VERBESSERUNG MODUS-SEHR NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG ENERGIE MOS TRANSISTOR | ST Microelectronics |
64179 | STH16NA40FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
64180 | STH180N10F3-2 | N-Kanal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2 | ST Microelectronics |
64181 | STH180N10F3-6 | N-Kanal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET | ST Microelectronics |
64182 | STH185N10F3-2 | Automotive-N-Kanal 100 V, 3,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Power MOSFET H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64183 | STH18NB40 | N-CHANNEL 400V 0.19 OHM18.4A TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
64184 | STH18NB40FI | N-CHANNEL 400V 0.19 OHM18.4A TO-247/ISOWATT218 POWERMESH MOSFET | ST Microelectronics |
64185 | STH210N75F6-2 | N-Kanal-75 V, 0,0027 Ohm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64186 | STH240N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64187 | STH240N10F7-6 | N-Kanal 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in einem H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64188 | STH240N75F3-2 | N-Kanal-75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64189 | STH240N75F3-6 | N-Kanal-75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64190 | STH245N75F3-6 | Automotive-N-Kanal-75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64191 | STH250N55F3-6 | N-Kanal-55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III-Leistungs-MOSFET | ST Microelectronics |
64192 | STH260N6F6-2 | N-Kanal-60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64193 | STH260N6F6-6 | N-Kanal-60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64194 | STH270N4F3-2 | N-Kanal-40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64195 | STH270N4F3-6 | N-Kanal-40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III-Leistungs-MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64196 | STH270N8F7-2 | N-Kanal-80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64197 | STH270N8F7-6 | N-Kanal-80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64198 | STH300NH02L-6 | N-Kanal-24 V, 0,95 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) Power MOSFET in einem H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
64199 | STH310N10F7-2 | N-Kanal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-2-Paket | ST Microelectronics |
64200 | STH310N10F7-6 | N-Kanal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in H2PAK-6-Paket | ST Microelectronics |
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