| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 251161 | BC807-40QA | 45 V, 500 mA PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251162 | BC807-40W | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 251163 | BC807-40W | Transistor del AF del silicio de PNP (para el alto aumento actual de la corriente de colector de los usos generales del AF alto) | Siemens |
| 251164 | BC807-40W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251165 | BC807-40W | Transistores del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 251166 | BC807-40W | 45 V, 500 mA PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251167 | BC807-40W | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
| 251168 | BC807-40W-7 | Discretos - Transistores Bipolares - Transistor (BJT) tabla maestra - Transistores 30V a 50V | Diodes |
| 251169 | BC807-40_5C | 45 V, la superficie de montaje transistor PNP | TRANSYS Electronics Limited |
| 251170 | BC807-45 | 45V; Superficie de montaje PNP transistor. Para la conmutación y aplicaciones del amplificador de AF | Diodes |
| 251171 | BC80716 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251172 | BC80716 | 16 - PNP Amplificador de uso general | Fairchild Semiconductor |
| 251173 | BC80716-5AZ | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251174 | BC80716-5AZ | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251175 | BC80716LT1 | Transistores De fines generales | Motorola |
| 251176 | BC80716MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251177 | BC80725 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251178 | BC80725 | 25 - PNP Amplificador de uso general | Fairchild Semiconductor |
| 251179 | BC80725-5BZ | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251180 | BC80725-5BZ | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251181 | BC80725MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251182 | BC80740 | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251183 | BC80740 | Amplificador De los Fines generales de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251184 | BC80740-5CZ | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251185 | BC80740-5CZ | TRANSISTOR DE ENERGÍA MEDIO PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Zetex Semiconductors |
| 251186 | BC80740MTF | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251187 | BC807DS | Transistor doble de fines generales de PNP | Philips |
| 251188 | BC807DS | Propósito general PNP Transistor doble | NXP Semiconductors |
| 251189 | BC807F | Transistor del silicio de PNP (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
| 251190 | BC807U | Transistores de fines generales - el arsenal del transistor del AF del silicio de PNP para el AF entró etapas y conductores | Infineon |
| 251191 | BC807W | Transistor de los fines generales de PNP | Philips |
| 251192 | BC807W | Transistor del AF del silicio de PNP para el general... | Infineon |
| 251193 | BC807W | Montaje superficial PlanarTransistors Silicio-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251194 | BC807W | 45 V, 500 mA PNP transistores de propósito general | NXP Semiconductors |
| 251195 | BC808 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251196 | BC808 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | Vishay |
| 251197 | BC808 | TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251198 | BC808 | Transistores Pequeños De la Señal (PNP) | General Semiconductor |
| 251199 | BC808 | Transistor del Af Del Silicio de PNP | Infineon |
| 251200 | BC808 | Transistor del silicio de PNP (alto uso actual de la conmutación del uso) | AUK Corp |
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