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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
259441	BF904R	Canal N MOSFET de doble puerta	NXP Semiconductors
259442	BF904WR	Mos-fet dual-gate del N-canal	Philips
259443	BF904WR	Canal N MOSFET de doble puerta	NXP Semiconductors
259444	BF908	MOS-FETs Dual-gate	Philips
259445	BF908	Canal N MOSFET de doble puerta	NXP Semiconductors
259446	BF908R	MOS-FETs Dual-gate	Philips
259447	BF908R	Canal N MOSFET de doble puerta	NXP Semiconductors
259448	BF908WR	Mos-fet dual-gate del N-canal	Philips
259449	BF908WR	Canal N MOSFET de doble puerta	NXP Semiconductors
259450	BF909	equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8"> 1 Supresores Philips 259451 BF909 Canal N MOSFET de doble puerta NXP Semiconductors 259452 BF909R equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8"> 1 Supresores Philips 259453 BF909R Canal N MOSFET de doble puerta NXP Semiconductors 259454 BF909WR Mos-fet dual-gate del N-canal Philips 259455 BF909WR Canal N MOSFET de doble puerta NXP Semiconductors 259456 BF926 TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP Siemens 259457 BF939 TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP Siemens 259458 BF959 Transistor del RF del silicio de NPN (para los usos del conductor del filtro de la SIERRA en los sintonizadores de la TV para las etapas de banda ancha lineares del amplificador del VHF) Siemens 259459 BF959 Vhf Transistor(NPN) Motorola 259460 BF959 Transistor del Vhf ON Semiconductor 259461 BF959 Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 0.100A Ic, 35 - hFE Continental Device India Limited 259462 BF959-D Silicio Del Transistor NPN del Vhf ON Semiconductor 259463 BF959RL1 Transistor del Vhf ON Semiconductor 259464 BF959ZL1 Transistor del Vhf ON Semiconductor 259465 BF960 MODO DUAL De MOS-fieldeffect TETRODE.DEPLETION de la PUERTA Del N-canal Vishay 259466 BF961 Tetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259467 BF961 Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Temic 259468 BF961A Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259469 BF961A Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259470 BF961B Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259471 BF961B Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259472 BF964 Tetrodo Dual De MOS-Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal/Modo De Agotamiento Vishay 259473 BF964S Tetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259474 BF966S Tetrodo Dual De MOS&dash;Fieldeffect De la Puerta Del N-Canal, Modo De Agotamiento Vishay 259475 BF967 TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP Siemens 259476 BF968 TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP Siemens 259477 BF970 Transistor Planar Del Silicio PNP Rf Vishay 259478 BF979 Transistor Planar Del Silicio PNP Rf Vishay 259479 BF979S TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNP Siemens 259480 BF981 Mos-fet DUAL de la PUERTA Del N-canal del SILICIO Philips Las hojas de datos encontraron :: 1351360 Página: << | 6482 | 6483 | 6484 | 6485 | 6486 | 6487 | 6488 | 6489 | 6490 | 6491 | 6492 | >> © 2024 - www.DatasheetCatalog.com