Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
259401 | BF824W | PNP transistor de frecuencia media | NXP Semiconductors |
259402 | BF840 | Transistor medio de la frecuencia de NPN | Philips |
259403 | BF840 | Transistor del RF del silicio de NPN para el campo común... | Infineon |
259404 | BF840 | Transistores del RF del silicio de NPN (convenientes para el emisor común RF, SI capacitancia baja del collector-base de los amplificadores debido a la difusión del protector del contacto) | Siemens |
259405 | BF840 | Transistor NPN de media frecuencia | NXP Semiconductors |
259406 | BF840 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 40V VCEO, 0.025A Ic, hFE. | Continental Device India Limited |
259407 | BF841 | Transistor del RF del silicio de NPN para el campo común... | Infineon |
259408 | BF841 | Transistores del RF del silicio de NPN (convenientes para el emisor común RF, SI capacitancia baja del collector-base de los amplificadores debido a la difusión del protector del contacto) | Siemens |
259409 | BF841 | Propósito General de 0.250W NPN SMD transistor. 40V VCEO, 0.025A Ic, hFE. | Continental Device India Limited |
259410 | BF844 | Transistor(NPN) De alto voltaje | Motorola |
259411 | BF847 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
259412 | BF848 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
259413 | BF849 | TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
259414 | BF859 | Transistor de alto voltaje de NPN | Philips |
259415 | BF861 | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
259416 | BF861A | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
259417 | BF861A | FET de canal N | NXP Semiconductors |
259418 | BF861B | fETs de la ensambladura del N-canal | Philips |
259419 | BF861B | FET de canal N | NXP Semiconductors |