| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 268761 | BSS125 | Transistor small-Signal de SIPMOS (modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 268762 | BSS125E6288 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268763 | BSS125E6296 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268764 | BSS125E6325 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268765 | BSS125E7732 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268766 | BSS127S | N-canal MEJORA modo de campo MOSFET | Diodes |
| 268767 | BSS127S-7 | N-canal MEJORA modo de campo MOSFET | Diodes |
| 268768 | BSS127SSN | N-canal MEJORA modo de campo MOSFET | Diodes |
| 268769 | BSS127SSN-7 | N-canal MEJORA modo de campo MOSFET | Diodes |
| 268770 | BSS129 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268771 | BSS129 | Resistencia dinámica small-Signal del modo de agotamiento del canal de SIPMOS Transistor(N alta) | Siemens |
| 268772 | BSS129E6288 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268773 | BSS129E6296 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268774 | BSS131 | MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet Pequeño De la Señal, 240V, Sot-23, RDSon=16.0 Ohmio, 0.1A, LL | Infineon |
| 268775 | BSS131 | Transistor small-Signal de SIPMOS (nivel de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 268776 | BSS135 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268777 | BSS135 | Transistor small-Signal de SIPMOS (resistencia dinámica del modo de agotamiento del canal de N alta) | Siemens |
| 268778 | BSS135E6325 | Transistor De la Pequeño-Señal Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268779 | BSS138 | Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del Nivel De la Lógica Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 268780 | BSS138 | Mosfet Del N-canal | Zetex Semiconductors |
| 268781 | BSS138 | MOSFETS | Diodes |
| 268782 | BSS138 | Transistor small-Signal de SIPMOS (nivel de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 268783 | BSS138 | Transistor De Efecto De Campo Del Modo Del Realce Del N-Canal | Chino-Excel Technology |
| 268784 | BSS138(Z) | 50V N-canal MEJORA MODO VERTICAL DMOS FET EN SOT23 | Diodes |
| 268785 | BSS138-7 | TRANSISTOR de EFECTO de CAMPO del MODO del REALCE Del N-canal | Diodes |
| 268786 | BSS138-7-F | MODO N-canal MEJORA MOSFET | Diodes |
| 268787 | BSS138-G | MOSFET, V DS = 50V, I d = 0.22A, P D = de 350mW | Comchip Technology |
| 268788 | BSS138AKA | 60 V, solo MOSFET de canal N Trench | NXP Semiconductors |
| 268789 | BSS138BK | 60 V, 360 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268790 | BSS138BKS | 60 V, 320 mA de doble canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268791 | BSS138BKW | 60 V, 320 mA de canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268792 | BSS138DW | MOSFETS | Diodes |
| 268793 | BSS138DW-7-F | DUAL N-canal del MODO del REALCE transistor de efecto campo | Diodes |
| 268794 | BSS138K | 50V N-Channel Nivel lógico del modo del realce del transistor de efecto de campo | Fairchild Semiconductor |
| 268795 | BSS138L | MAmps del MOSFET 200 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268796 | BSS138LT1 | MAmps del MOSFET 200 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268797 | BSS138LT1-D | Accione los mAmps del MOSFET 200, 50 voltios de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 268798 | BSS138LT1G | MAmps del MOSFET 200 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268799 | BSS138LT3 | MAmps del MOSFET 200 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
| 268800 | BSS138LT3G | MAmps del MOSFET 200 de la energía, 50 voltios | ON Semiconductor |
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