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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
471612N519240.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE.Continental Device India Limited
471622N5193Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
471632N5194Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
471642N5194Energía  60V PNPON Semiconductor
471652N5194-DTransistores De Energía Del Silicio PNPON Semiconductor
471662N5195TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNPST Microelectronics
471672N5195TRANSISTOR MEDIO DEL SILICIO DE LA ENERGÍA PNPSGS Thomson Microelectronics
471682N5195Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
471692N5195Energía  80V PNPON Semiconductor
471702N5196Fines generales MonolíticosVishay
471712N5196Dual N-canal JFET amplificador de propósito general.Intersil
471722N5197Fines generales MonolíticosVishay
471732N5197Dual N-canal JFET amplificador de propósito general.Intersil
471742N5198Fines generales MonolíticosVishay
471752N5198Dual N-canal JFET amplificador de propósito general.Intersil
471762N5199Fines generales MonolíticosVishay
471772N5199Dual N-canal JFET amplificador de propósito general.Intersil
471782N5202TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTORGeneral Electric Solid State
471792N5202TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTORGeneral Electric Solid State



471802N5204SCR del control de la fase de 600V 2À en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
471812N520425 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471822N5205SCR del control de la fase de 800V 2À en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
471832N520525 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471842N5206SCR del control de la fase de 1000V 2À en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
471852N520625 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471862N5207SCR del control de la fase de 1200V 2À en un paquete de To-20åa (To-48)International Rectifier
471872N520725 y 35 amperios RMS SCRsKnox Semiconductor Inc
471882N5208El CASO 29-04, labra 2 A -92(to-22ãa)Motorola
471892N5209TRANSISTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL RUIDO BAJO DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
471902N5209Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
471912N5209Silicio De Transistors(NPN Del Amplificador)ON Semiconductor
471922N5209-DSilicio De los Transistores NPN Del AmplificadorON Semiconductor
471932N5209RLREAmplificador de transistor NPNON Semiconductor
471942N5210Amplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
471952N5210TRANSISTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL RUIDO BAJO DEL AF DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
471962N5210Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
471972N5210Silicio De Transistors(NPN Del Amplificador)ON Semiconductor
471982N5210TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNSamsung Electronic
471992N5210Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW.USHA India LTD
472002N5210BUAmplificador De los Fines generales de NPNFairchild Semiconductor
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