Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
47161 | 2N5192 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
47162 | 2N5193 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
47163 | 2N5194 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
47164 | 2N5194 | Puissance  60V PNP | ON Semiconductor |
47165 | 2N5194-D | Transistors De Puissance Du Silicium PNP | ON Semiconductor |
47166 | 2N5195 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | ST Microelectronics |
47167 | 2N5195 | TRANSISTOR MOYEN DE SILICIUM DE LA PUISSANCE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
47168 | 2N5195 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
47169 | 2N5195 | Puissance  80V PNP | ON Semiconductor |
47170 | 2N5196 | Usage universel Monolithique | Vishay |
47171 | 2N5196 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
47172 | 2N5197 | Usage universel Monolithique | Vishay |
47173 | 2N5197 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
47174 | 2N5198 | Usage universel Monolithique | Vishay |
47175 | 2N5198 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
47176 | 2N5199 | Usage universel Monolithique | Vishay |
47177 | 2N5199 | Double JFET à canal N de l'amplificateur à des fins générales. | Intersil |
47178 | 2N5202 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
47179 | 2N5202 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
47180 | 2N5204 | thyristor de commande de phase de 600V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
47181 | 2N5204 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
47182 | 2N5205 | thyristor de commande de phase de 800V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
47183 | 2N5205 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
47184 | 2N5206 | thyristor de commande de phase de 1000V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
47185 | 2N5206 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
47186 | 2N5207 | thyristor de commande de phase de 1200V 2À dans un paquet de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
47187 | 2N5207 | 25 et 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
47188 | 2N5208 | L'cAffaire 29-04, dénomment 2 À -92(to-22ãa) | Motorola |
47189 | 2N5209 | TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITS | Micro Electronics |
47190 | 2N5209 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
47191 | 2N5209 | Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur) | ON Semiconductor |
47192 | 2N5209-D | Silicium Des Transistors NPN D'Amplificateur | ON Semiconductor |
47193 | 2N5209RLRE | Amplificateur transistor NPN | ON Semiconductor |
47194 | 2N5210 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
47195 | 2N5210 | TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITS | Micro Electronics |
47196 | 2N5210 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
47197 | 2N5210 | Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur) | ON Semiconductor |
47198 | 2N5210 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Samsung Electronic |
47199 | 2N5210 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
47200 | 2N5210BU | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
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