| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 47161 | 2N5192 | 40.000W Médio Poder NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47162 | 2N5193 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 47163 | 2N5194 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 47164 | 2N5194 | Poder 4A 60V PNP | ON Semiconductor |
| 47165 | 2N5194-D | Transistor De Poder Do Silicone PNP | ON Semiconductor |
| 47166 | 2N5195 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | ST Microelectronics |
| 47167 | 2N5195 | TRANSISTOR MÉDIO DO SILICONE DO PODER PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47168 | 2N5195 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 47169 | 2N5195 | Poder 4A 80V PNP | ON Semiconductor |
| 47170 | 2N5196 | Finalidade Geral Monolítica | Vishay |
| 47171 | 2N5196 | Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral. | Intersil |
| 47172 | 2N5197 | Finalidade Geral Monolítica | Vishay |
| 47173 | 2N5197 | Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral. | Intersil |
| 47174 | 2N5198 | Finalidade Geral Monolítica | Vishay |
| 47175 | 2N5198 | Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral. | Intersil |
| 47176 | 2N5199 | Finalidade Geral Monolítica | Vishay |
| 47177 | 2N5199 | Dupla N-canal amplificador JFET de propósito geral. | Intersil |
| 47178 | 2N5202 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETOR | General Electric Solid State |
| 47179 | 2N5202 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE NPN DO COLETOR | General Electric Solid State |
| 47180 | 2N5204 | SCR do controle da fase de 600V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48) | International Rectifier |
| 47181 | 2N5204 | 25 e 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47182 | 2N5205 | SCR do controle da fase de 800V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48) | International Rectifier |
| 47183 | 2N5205 | 25 e 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47184 | 2N5206 | SCR do controle da fase de 1000V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48) | International Rectifier |
| 47185 | 2N5206 | 25 e 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47186 | 2N5207 | SCR do controle da fase de 1200V 22A em um pacote de TO-208AA (TO-48) | International Rectifier |
| 47187 | 2N5207 | 25 e 35 ampères RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47188 | 2N5208 | O CASO 29-04, denomina 2 A -92(TO-226AA) | Motorola |
| 47189 | 2N5209 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 47190 | 2N5209 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47191 | 2N5209 | Silicone De Transistors(NPN Do Amplificador) | ON Semiconductor |
| 47192 | 2N5209-D | Silicone Dos Transistor NPN Do Amplificador | ON Semiconductor |
| 47193 | 2N5209RLRE | Amplificador Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 47194 | 2N5210 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47195 | 2N5210 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL DO RUÍDO BAIXO DO AF DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 47196 | 2N5210 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 47197 | 2N5210 | Silicone De Transistors(NPN Do Amplificador) | ON Semiconductor |
| 47198 | 2N5210 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Samsung Electronic |
| 47199 | 2N5210 | Transistores amplificador. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Dissipação Collector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47200 | 2N5210BU | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
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