| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48001 | 2N5831 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 48002 | 2N5831 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48003 | 2N5831 | NPN de pequeña señal de alto voltaje del amplificador de propósito general. | Fairchild Semiconductor |
| 48004 | 2N5832 | Pla'stico-caso Del Transistor de NPN Bipolar | Micro Commercial Components |
| 48005 | 2N5832 | Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 48006 | 2N5833 | NPN de pequeña señal de alto voltaje del amplificador de propósito general. | Fairchild Semiconductor |
| 48007 | 2N5838 | TRANSISTORES de ENERGÍA De alto voltaje, De alta potencia De N-p-n del SILICIO | Motorola |
| 48008 | 2N5838 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
| 48009 | 2N5838 | De alto voltaje, el silicio de alta potencia NPN transistor de potencia. | General Electric Solid State |
| 48010 | 2N5839 | TRANSISTORES de ENERGÍA De alto voltaje, De alta potencia De N-p-n del SILICIO | Motorola |
| 48011 | 2N5839 | De alto voltaje, el silicio de alta potencia NPN transistor de potencia. | General Electric Solid State |
| 48012 | 2N5840 | TRANSISTORES de ENERGÍA De alto voltaje, De alta potencia De N-p-n del SILICIO | Motorola |
| 48013 | 2N5840 | De alto voltaje, el silicio de alta potencia NPN transistor de potencia. | General Electric Solid State |
| 48014 | 2N5859 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48015 | 2N5861 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48016 | 2N5864 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO39. | SemeLAB |
| 48017 | 2N5864 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO39. | SemeLAB |
| 48018 | 2N5867 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48019 | 2N5870 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48020 | 2N5870 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48021 | 2N5871 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48022 | 2N5872 | Dispositivo bipolar de PNP en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48023 | 2N5873 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3 | SemeLAB |
| 48024 | 2N5874 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3. | SemeLAB |
| 48025 | 2N5875 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48026 | 2N5875 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48027 | 2N5876 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48028 | 2N5876 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48029 | 2N5877 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48030 | 2N5877 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48031 | 2N5878 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 150w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48032 | 2N5878 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48033 | 2N5879 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48034 | 2N5879 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48035 | 2N5879 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48036 | 2N5880 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48037 | 2N5880 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
| 48038 | 2N5880 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 48039 | 2N5881 | ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48040 | 2N5881 | TRANSISTORES De alta potencia del SILICIO COMPLEMENTARIO | Boca Semiconductor Corporation |
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