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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
483612N6111TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNPST Microelectronics
483622N6111TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNPSGS Thomson Microelectronics
483632N6111TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNPSGS Thomson Microelectronics
483642N6111ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w)MOSPEC Semiconductor
483652N6111Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
483662N6111Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483672N6111Energía 7A 30V PNP DiscretoON Semiconductor
483682N611140.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. VCEO 30V, 7.000A Ic, 30-150 hFE.Continental Device India Limited
483692N6111Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -40V.General Electric Solid State
483702N6116El silicio transistor unijuction programable.Motorola
483712N6117El silicio transistor unijuction programable.Motorola
483722N6118El silicio transistor unijuction programable.Motorola
483732N6121TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMOSPEC Semiconductor
483742N6121Energía media linear y usos de la conmutaciónBoca Semiconductor Corporation
483752N6121Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483762N612140.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 4.000A Ic, 10 hFE.Continental Device India Limited
483772N6121Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 45V.General Electric Solid State
483782N6122TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMOSPEC Semiconductor
483792N6122Energía media linear y usos de la conmutaciónBoca Semiconductor Corporation



483802N6122Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483812N612240.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE.Continental Device India Limited
483822N6122Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 60V.General Electric Solid State
483832N6123TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMOSPEC Semiconductor
483842N6123Energía media linear y usos de la conmutaciónBoca Semiconductor Corporation
483852N6123Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483862N612340.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 20 - 80 hFE.Continental Device India Limited
483872N6123Epitaxial-base, el silicio NPN VERSAWATT transistor. 80V.General Electric Solid State
483882N6124TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMOSPEC Semiconductor
483892N6124Energía media linear y usos de la conmutaciónBoca Semiconductor Corporation
483902N6124Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483912N612440.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE.Continental Device India Limited
483922N6124Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -45V.General Electric Solid State
483932N6125TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMOSPEC Semiconductor
483942N6125Energía media linear y usos de la conmutaciónBoca Semiconductor Corporation
483952N6125Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483962N612540.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE.Continental Device India Limited
483972N6125Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V.General Electric Solid State
483982N6126TRANSISTORES DE ENERGÍA PLÁSTICOS DEL SILICIO COMPLEMENTARIOMOSPEC Semiconductor
483992N6126Energía media linear y usos de la conmutaciónBoca Semiconductor Corporation
484002N6126Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
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