| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 48281 | 2N6071-D | Tiristores Bidireccionales De la Puerta Del Silicio Sensible De los Triac | ON Semiconductor |
| 48282 | 2N6071A | Triac 4 AMPERIOS de RMS 200 a 600 VOLTIOS | Motorola |
| 48283 | 2N6071A | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48284 | 2N6071B | Triac 4 AMPERIOS de RMS 200 a 600 VOLTIOS | Motorola |
| 48285 | 2N6071B | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48286 | 2N6071BT | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48287 | 2N6072 | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 300 V. | Motorola |
| 48288 | 2N6072A | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 300 V. | Motorola |
| 48289 | 2N6072B | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 300 V. | Motorola |
| 48290 | 2N6073 | TRIAC Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 48291 | 2N6073 | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico de tensión repetitiva 400 V fuera de estado | Motorola |
| 48292 | 2N6073A | Triac 4 AMPERIOS de RMS 200 a 600 VOLTIOS | Motorola |
| 48293 | 2N6073A | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48294 | 2N6073A | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48295 | 2N6073B | Triac 4 AMPERIOS de RMS 200 a 600 VOLTIOS | Motorola |
| 48296 | 2N6073B | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48297 | 2N6074 | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 500 V. | Motorola |
| 48298 | 2N6074A | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 500 V. | Motorola |
| 48299 | 2N6074B | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 500 V. | Motorola |
| 48300 | 2N6075 | Triac puerta Sensible. Tiristor bidireccional de silicio. 4 A RMS. Pico repetitivo de estado de tensión de 600 V. | Motorola |
| 48301 | 2N6075A | Triac 4 AMPERIOS de RMS 200 a 600 VOLTIOS | Motorola |
| 48302 | 2N6075A | TRIAC Plomado Del Tiristor | Central Semiconductor |
| 48303 | 2N6075A | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48304 | 2N6075B | Triac 4 AMPERIOS de RMS 200 a 600 VOLTIOS | Motorola |
| 48305 | 2N6075B | Triac Sensibles De la Puerta | ON Semiconductor |
| 48306 | 2N6076 | TRANSISTOR PEQUEÑO DE LA SEÑAL DEL SILICIO PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48307 | 2N6076 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 48308 | 2N6076 | PNP transistor de silicio. 25V, 100mA. | General Electric Solid State |
| 48309 | 2N6076_D26Z | Transistor Pequeño De la Señal Del Silicio PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48310 | 2N6076_D27Z | Transistor Pequeño De la Señal Del Silicio PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48311 | 2N6076_D75Z | Transistor Pequeño De la Señal Del Silicio PNP | Fairchild Semiconductor |
| 48312 | 2N6077 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO66 | SemeLAB |
| 48313 | 2N6077 | De alta tensión, de alta potencia de silicio NPN del transistor. | General Electric Solid State |
| 48314 | 2N6078 | TRANSISTOR de ENERGÍA Multi-Multi-epitaxial de NPN | SemeLAB |
| 48315 | 2N6078 | TRANSISTOR de ENERGÍA Multi-Multi-epitaxial de NPN | SemeLAB |
| 48316 | 2N6078 | De alta tensión, de alta potencia de silicio NPN del transistor. | General Electric Solid State |
| 48317 | 2N6079 | Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO66 | SemeLAB |
| 48318 | 2N6079 | De alta tensión, de alta potencia de silicio NPN del transistor. | General Electric Solid State |
| 48319 | 2N6080 | TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FM | Microsemi |
| 48320 | 2N6080 | TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FM | Microsemi |
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