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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
483212N6080V (CBO): 36V; V (ceo): 18V; V (EBO): 4V; Transistor de comunicaciones VHFSGS Thomson Microelectronics
483222N6081TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FMMicrosemi
483232N6081TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FMMicrosemi
483242N6081V (CBO): 36V; V (ceo): 18V; V (EBO): 4V; Transistor de comunicaciones VHFSGS Thomson Microelectronics
483252N6082Transistores De Energía del Rf Del Silicio de NPNMotorola
483262N6082Transistor De las Comunicaciones del VhfST Microelectronics
483272N6082V (CBO): 36V; V (ceo): 18V; V (EBO): 4V; Transistor de comunicaciones VHFSGS Thomson Microelectronics
483282N6083TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FMMicrosemi
483292N6083TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FMMicrosemi
483302N6083V (CBO): 36V; V (ceo): 18V; V (EBO): 4V; Transistor de comunicaciones VHFSGS Thomson Microelectronics
483312N6084TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FMMicrosemi
483322N6084TRANSISTORES DEL RF Y DE LA MICROONDA 130... USOS DEL MÓDULO DE 230 MEGACICLOS FMMicrosemi
483332N6084V (CBO): 36V; V (ceo): 18V; V (EBO): 4V; Transistor de comunicaciones VHFSGS Thomson Microelectronics
483342N6099Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483352N6101Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483362N610175.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 10.000A Ic, 20 - 80 hFE.Continental Device India Limited
483372N6103Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483382N6106Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
483392N6106Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -80V.General Electric Solid State



483402N6107TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNPST Microelectronics
483412N6107TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNPSGS Thomson Microelectronics
483422N6107TRANSISTORES DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIO PNPSGS Thomson Microelectronics
483432N6107ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w)MOSPEC Semiconductor
483442N6107Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
483452N6107Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483462N6107Energía 7A 70V PNP DiscretoON Semiconductor
483472N610740.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE.Continental Device India Limited
483482N6107Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -80V.General Electric Solid State
483492N6107PNP transistor de potencia de plástico de silicio. Diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y del amplificador de uso general. VCEO = 70 Vcc, Vcb = 80VDC, Veb = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W.USHA India LTD
483502N6107-DTransistores De Energía Plásticos Del Silicio ComplementarioON Semiconductor
483512N6108Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
483522N6108Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V.General Electric Solid State
483532N6109ENERGÍA TRANSISTORS(7A, 40w)MOSPEC Semiconductor
483542N6109Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
483552N6109Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
483562N6109Energía 7A 50V PNP DiscretoON Semiconductor
483572N610940.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. VCEO 50V, 7.000A Ic, 30-150 hFE.Continental Device India Limited
483582N6109Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -60V.General Electric Solid State
483592N6110Epitaxial-base, SILICIO N-p-n Y TRANSISTORES De P-n-p VERSAWATTBoca Semiconductor Corporation
483602N6110Epitaxial-base, el silicio PNP VERSAWATT transistor. -40V.General Electric Solid State
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