| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 881841 | MJE182 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881842 | MJE182 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
| 881843 | MJE182 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 881844 | MJE182 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 881845 | MJE182 | ENERGÍA TRANSISTORS(3.0A, 40-80v, 12.5w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881846 | MJE182 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 3 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA 60-80 VOLTIOS 12,5 VATIOS | Motorola |
| 881847 | MJE182 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 881848 | MJE182 | Energía Á 80V NPN | ON Semiconductor |
| 881849 | MJE182 | 12.500W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 881850 | MJE182 | 60 V, 3 A, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
| 881851 | MJE18204 | TRANSISTORES de ENERGÍA 5 AMPERIOS 1200 VOLTIOS 35 y 75 VATIOS | Motorola |
| 881852 | MJE18204 | SWITCHMODE ™ NPN Bipolar Transistor de energía de Luz Electrónico de lastre y aplicaciones de conmutación de fuente de alimentación | ON Semiconductor |
| 881853 | MJE18204-D | Transistor de energía bipolar de SWITCHMODE NPN para los TRANSISTORES de ENERGÍA ligeros electrónicos de los usos de la fuente de alimentación del lastre y de la conmutación 5 AMPERIOS 1200 VOLTIOS 35 y 75 VATIOS | ON Semiconductor |
| 881854 | MJE18206 | TRANSISTORES de ENERGÍA 8 AMPERIOS 1200 VOLTIOS 40 y 100 VATIOS | Motorola |
| 881855 | MJE18206 | SWITCHMODE ™ NPN Bipolar Transistor de energía de Luz Electrónico de lastre y aplicaciones de conmutación de fuente de alimentación | ON Semiconductor |
| 881856 | MJE182STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881857 | MJE18604 | TRANSISTORES DE ENERGÍA 3 AMPERIOS 1600 VOLTIOS 100 VATIOS | Motorola |
| 881858 | MJE18604D2 | TRANSISTORES DE ENERGÍA 3 AMPERIOS 1600 VOLTIOS 100 VATIOS | Motorola |
| 881859 | MJE200 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881860 | MJE200 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 5 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA 25 VOLTIOS 15 VATIOS | Motorola |
| 881861 | MJE200 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 881862 | MJE200 | Energía Ä 25V NPN | ON Semiconductor |
| 881863 | MJE200 | 40 V, 5 A, el transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
| 881864 | MJE200-D | Transistores Complementarios Del Plástico De la Energía Del Silicio | ON Semiconductor |
| 881865 | MJE200STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881866 | MJE200TSTU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 881867 | MJE210 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881868 | MJE210 | TRANSISTOR DEL SILICIO PNP | ST Microelectronics |
| 881869 | MJE210 | SILICIO COMPLEMENTARIO DE 5 DEL AMPERIO TRANSISTORES DE ENERGÍA 25 VOLTIOS 15 VATIOS | Motorola |
| 881870 | MJE210 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 881871 | MJE210 | Energía Ä 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881872 | MJE210 | -40 V, -5 A, transistor PNP epitaxial de silicio | Samsung Electronic |
| 881873 | MJE210 | SILICIO PNP DEL TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 881874 | MJE210STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881875 | MJE210T | Energía Ä 25V PNP | ON Semiconductor |
| 881876 | MJE220 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 881877 | MJE220 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 881878 | MJE221 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 881879 | MJE221 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
| 881880 | MJE222 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN | Central Semiconductor |
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