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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
881961	MJE3055T	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO	SGS Thomson Microelectronics
881962	MJE3055T	ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 60v, 75w)	MOSPEC Semiconductor
881963	MJE3055T	TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO	Wing Shing Computer Components
881964	MJE3055T	TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 75 VATIOS	Motorola
881965	MJE3055T	Fines generales Plomados Del Transistor De Energía	Central Semiconductor
881966	MJE3055T	Energía 10A 60V NPN Discreto	ON Semiconductor
881967	MJE3055T	Transistor De Energía Plástico de NPN	Continental Device India Limited
881968	MJE3055T	70 V, 10 A, transistor NPN de silicio	Samsung Electronic
881969	MJE3055T	NPN, silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para la conmutación de uso general y aplicación amplificador. VCEO (SUS) = 60 Vdc, Vcb = 70 Vcc, Veb = 5 Vdc, Ic = 10Acc, Pd = 75W.	USHA India LTD
881970	MJE3055TTU	equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8"> 1 Supresores Fairchild Semiconductor 881971 MJE340 Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN Fairchild Semiconductor 881972 MJE340 TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO ST Microelectronics 881973 MJE340 TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE COMPLEMETARY SGS Thomson Microelectronics 881974 MJE340 TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO SGS Thomson Microelectronics 881975 MJE340 SILICIO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DE 0,5 AMPERIOS NPN 300 VOLTIOS 20 VATIOS Motorola 881976 MJE340 Fines generales Plomados Del Transistor De Energía Central Semiconductor 881977 MJE340 Transistor Medio Plástico Del Silicio De la Energía NPN ON Semiconductor 881978 MJE340 20.000W de alto voltaje de NPN Transistor de plástico con plomo. 300V VCEO, 0.500A Ic, 30-240 hFE. MJE350 Complementaria Continental Device India Limited 881979 MJE340 300 V, 500 A, el transistor NPN de silicio epitaxial Samsung Electronic 881980 MJE340-D Transistor Medio Plástico Del Silicio De la Energía NPN ON Semiconductor 881981 MJE340STU Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN Fairchild Semiconductor 881982 MJE341 SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA DE 0,5 AMPERIOS NPN 150-200 VOLTIOS 20 VATIOS Motorola 881983 MJE341 Fines generales Plomados Del Transistor De Energía Central Semiconductor 881984 MJE3439 SILICIO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DE 0,3 AMPERIOS NPN 350 VOLTIOS 15 VATIOS Motorola 881985 MJE3439 Fines generales Plomados Del Transistor De Energía Central Semiconductor 881986 MJE3439 Ç$a 350V NPN De la Energía ON Semiconductor 881987 MJE3439-D Transistores De Energía De alto voltaje Del Silicio de NPN ON Semiconductor 881988 MJE344 SILICIO DE LOS TRANSISTORES DE ENERGÍA DE 0,5 AMPERIOS NPN 150-200 VOLTIOS 20 VATIOS Motorola 881989 MJE344 Fines generales Plomados Del Transistor De Energía Central Semiconductor 881990 MJE344 Ç$a 200V NPN De la Energía ON Semiconductor 881991 MJE344-D Transistor Plástico De la Medio-Energi'a Del Silicio de NPN ON Semiconductor 881992 MJE3440 TRANSISTOR DEL SILICIO NPN ST Microelectronics 881993 MJE3440 TRANSISTOR DEL SILICIO NPN SGS Thomson Microelectronics 881994 MJE3440 Fines generales Plomados Del Transistor De Energía Central Semiconductor 881995 MJE350 Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP Fairchild Semiconductor 881996 MJE350 TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO ST Microelectronics 881997 MJE350 TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO SGS Thomson Microelectronics 881998 MJE350 TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE COMPLEMETARY SGS Thomson Microelectronics 881999 MJE350 SILICIO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA DE 0,5 AMPERIOS PNP 300 VOLTIOS 20 VATIOS Motorola 882000 MJE350 Fines generales Plomados Del Transistor De Energía Central Semiconductor Las hojas de datos encontraron :: 1351360 Página: << | 22045 | 22046 | 22047 | 22048 | 22049 | 22050 | 22051 | 22052 | 22053 | 22054 | 22055 | >> © 2024 - www.DatasheetCatalog.com