Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
881921 | MJE253 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
881922 | MJE253 | Energía  100V PNP | ON Semiconductor |
881923 | MJE254 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Central Semiconductor |
881924 | MJE254 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | Central Semiconductor |
881925 | MJE270 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DE 2,0 AMPERIOS 100 VOLTIOS 15 VATIOS | Motorola |
881926 | MJE270 | Energía À 100V NPN Complementario | ON Semiconductor |
881927 | MJE270 | Energía À 100V NPN Complementario | ON Semiconductor |
881928 | MJE270 | 15.000W Darlington NPN Transistor de plástico con plomo. 100V VCEO, 4.000A Ic, 500 hFE. | Continental Device India Limited |
881929 | MJE270-D | Transistores De Energía Complementarios Del Silicio NPN | ON Semiconductor |
881930 | MJE271 | TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DE LA ENERGÍA DARLINGTON DE 2,0 AMPERIOS 100 VOLTIOS 15 VATIOS | Motorola |
881931 | MJE271 | Energía À 100V PNP | ON Semiconductor |
881932 | MJE271 | Energía À 100V PNP | ON Semiconductor |
881933 | MJE2801 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A/60V/75W) | MOSPEC Semiconductor |
881934 | MJE2801T | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881935 | MJE2801T | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
881936 | MJE2901T | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881937 | MJE2901T | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
881938 | MJE2955 | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881939 | MJE2955-G | Transistores para aplicaciones generales, V CBO = -70V, V CEO = -60V, V EBO = -5V, I C = -10A | Comchip Technology |
881940 | MJE2955T | Transistor Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
881941 | MJE2955T | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
881942 | MJE2955T | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
881943 | MJE2955T | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
881944 | MJE2955T | ENERGÍA TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
881945 | MJE2955T | C.C. PLANAR DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL SILICIO TRANSISTOR(AUDIO DE PNP AL CONVERTIDOR DE LA C.C.) | Wing Shing Computer Components |
881946 | MJE2955T | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Wing Shing Computer Components |
881947 | MJE2955T | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 75 VATIOS | Motorola |
881948 | MJE2955T | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
881949 | MJE2955T | Energía 10A 60V PNP Discreto | ON Semiconductor |
881950 | MJE2955T | 75.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 10.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
881951 | MJE2955T | -70 V, -10 A, transistor PNP de silicio | Samsung Electronic |
881952 | MJE2955T | PNP, silicio transistor de potencia plástica. Diseñado para la conmutación de uso general y aplicación amplificador. VCEO = 60 Vdc, Vcb = 70 Vcc, Veb = 5Vdc Ic = 10Acc, PD = 75W. | USHA India LTD |
881953 | MJE2955T-D | Transistores De Energía Plásticos Del Silicio Complementario | ON Semiconductor |
881954 | MJE2955TTU | Transistor Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
881955 | MJE3055 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO | Wing Shing Computer Components |
881956 | MJE3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO DE 10 AMPERIOS 60 VOLTIOS 75 VATIOS | Motorola |
881957 | MJE3055 | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
881958 | MJE3055T | equiv="content-type" content="text/html; charset=UTF-8">1 | Supresores | Fairchild Semiconductor |
881959 | MJE3055T | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | ST Microelectronics |
881960 | MJE3055T | TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO | SGS Thomson Microelectronics |
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