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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
882121MJE802Energía  80V NPNDON Semiconductor
882122MJE80260 V, 5 A, de silicio epitaxial transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
882123MJE802STUTransistor Epitaxial De Darlington Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
882124MJE802TENERGÍA TRANSISTORS(4.0A, 60-80v, 40w)MOSPEC Semiconductor
882125MJE802TTransistor De Energía Plomado DarlingtonCentral Semiconductor
882126MJE803Transistor Epitaxial De Darlington Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
882127MJE803TRANSISTORES DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO NPNSGS Thomson Microelectronics
882128MJE803SILICIO COMPLEMENTARIO DE 4,0 DEL AMPERIO DARLINGTON TRANSISTORES DE ENERGÍA 40 VATIOS 50 VATIOSMotorola
882129MJE803Fines generales Plomados Del Transistor De EnergíaCentral Semiconductor
882130MJE803TRANSISTORES DE LA ENERGÍA DARLINGTON DEL SILICIO NPNST Microelectronics
882131MJE80360 V, 5 A, de silicio epitaxial transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
882132MJE803STUTransistor Epitaxial De Darlington Del Silicio de NPNFairchild Semiconductor
882133MJE803TENERGÍA TRANSISTORS(4.0A, 60-80v, 40w)MOSPEC Semiconductor
882134MJE803TTransistor De Energía Plomado DarlingtonCentral Semiconductor
882135MJE8503TRANSISTORES DE ENERGÍA 5,0 AMPERIOS 1500 VOLTIOS - BVCES 80 VATIOSMotorola
882136MJE8503ATRANSISTORES DE ENERGÍA 5,0 AMPERIOS 1500 VOLTIOS - BVCES 80 VATIOSMotorola
882137MJE9780TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL SILICIO DE PNP 3,0 AMPERIOS 150 VOLTIOSMotorola
882138MJE9780PNP Silicon Power TransistorON Semiconductor
882139MJE9780-DTransistor De Energía Del Silicio de PNPON Semiconductor



882140MJF122ENERGÍA COMPLEMENTARIA DARLINGTONS DEL SILICIOMotorola
882141MJF122Energía Ä 100V Darlington NPNON Semiconductor
882142MJF122-DEnergía Complementaria Darlingtons Para Los Usos Aislados Del PaqueteON Semiconductor
882143MJF127ENERGÍA COMPLEMENTARIA DARLINGTONS DEL SILICIOMotorola
882144MJF127Energía Ä 100V PNPON Semiconductor
882145MJF13007TRANSISTOR DE ENERGÍA 8,0 AMPERIOS 400 VOLTIOS 80/40 VATIOMotorola
882146MJF15030TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO 8 AMPERIOS 150 VOLTIOS 36 VATIOSMotorola
882147MJF15030Energía Å 150V NPNON Semiconductor
882148MJF15030-DTransistores De Energía Complementarios Para Los Usos Aislados Del PaqueteON Semiconductor
882149MJF15031TRANSISTORES DE ENERGÍA COMPLEMENTARIOS DEL SILICIO 8 AMPERIOS 150 VOLTIOS 36 VATIOSMotorola
882150MJF15031Energía Å 150V PNPON Semiconductor
882151MJF18002TRANSISTOR de ENERGÍA 2,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 25 y 50 VATIOSMotorola
882152MJF18002SWITCHMODE ™ON Semiconductor
882153MJF18004TRANSISTOR de ENERGÍA 5,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 35 y 75 VATIOSMotorola
882154MJF18004Switchmode&#153;ON Semiconductor
882155MJF18006TRANSISTOR de ENERGÍA 6,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 40 y 100 VATIOSMotorola
882156MJF18008TRANSISTOR de ENERGÍA 8,0 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 45 y 125 VATIOSMotorola
882157MJF18008SWITCHMODE&#153;ON Semiconductor
882158MJF18009TRANSISTORES de ENERGÍA 10 AMPERIOS 1000 VOLTIOS 50 y 150 VATIOSMotorola
882159MJF18204TRANSISTORES de ENERGÍA 5 AMPERIOS 1200 VOLTIOS 35 y 75 VATIOSMotorola
882160MJF18204SWITCHMODE ™ NPN Bipolar Transistor de energía de Luz Electrónico de lastre y aplicaciones de conmutación de fuente de alimentaciónON Semiconductor
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