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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
851CC5551TRANSISTOR COMPLEMENTARIO DEL ALTO VOLTAJE DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
852CD1013Propósito 0.700W general PNP Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 60-320 hFEContinental Device India Limited
853CD1013OPropósito 0.700W general PNP Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
854CD1013RPropósito 0.700W general PNP Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited
855CD1013YPropósito 0.700W general PNP Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFEContinental Device India Limited
856CD1024Propósito 0.900W general PNP Transistor Plástico con plomo. 150V VCEO, 0.050A Ic, 70-240 hFEContinental Device India Limited
857CD1024OPropósito 0.900W general PNP Transistor Plástico con plomo. 150V VCEO, 0.050A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
858CD1024YPropósito 0.900W general PNP Transistor Plástico con plomo. 150V VCEO, 0.050A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
859CD13001Propósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 400V VCEO, 0.500A Ic, 10-40 hFEContinental Device India Limited
860CD13002TRANSISTOR DE ENERGÍA RÁPIDO EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN, DE ALTOVOLTAJE PLANAR DE LA CONMUTACIÓNContinental Device India Limited
861CD13002TRANSISTOR DE ENERGÍA RÁPIDO EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN, DE ALTOVOLTAJE PLANAR DE LA CONMUTACIÓNContinental Device India Limited
862CD1300345.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 1.500A Ic, 5-25 hFE.Continental Device India Limited
863CD1300560.000W de Uso General NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 2.000A Ic, 4-25 hFEContinental Device India Limited
864CD13005A60.000W de Uso General NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 2.000A Ic, 11-16 hFEContinental Device India Limited
865CD13005B60.000W de Uso General NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 2.000A Ic, 15-19 hFEContinental Device India Limited
866CD13005C60.000W de Uso General NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 2.000A Ic, 18-22 hFEContinental Device India Limited
867CD13005E60.000W de Uso General NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 2.000A Ic, 21-25 hFEContinental Device India Limited
868CD13005F60.000W de Uso General NPN Transistor de plástico con plomo. 400V VCEO, 2.000A Ic, 24 - 30 hFEContinental Device India Limited
869CD1585BCPropósito 0.400W general PNP Transistor Plástico con plomo. 20V VCEO, 2.000A Ic, 250-500 hFEContinental Device India Limited
870CD1N4148500 mW Axial Diodo de conmutación, 75.0V Vr, 5.000uA Ir, 1.00V Vf @ 10mA SiContinental Device India Limited
871CD2328APropósito General de 0.750W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.500A Ic, 100-320 hFEContinental Device India Limited
872CD2331Propósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.700A Ic, 40-240 hFEContinental Device India Limited
873CD2331OPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.700A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
874CD2331RPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.700A Ic, 40 - 80 hFEContinental Device India Limited
875CD2331YPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 0.700A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
876CD2383Propósito General de 0.700W NPN Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 60-320 hFEContinental Device India Limited
877CD2383OPropósito General de 0.700W NPN Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
878CD2383RPropósito General de 0.700W NPN Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited



879CD2383YPropósito General de 0.700W NPN Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFEContinental Device India Limited
880CD3001Transistor Epitaxial Planar Del Silicio de NPNContinental Device India Limited
881CD4531DIODO DE ALTA VELOCIDAD DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIOContinental Device India Limited
882CD4531DIODO DE ALTA VELOCIDAD DE LA CONMUTACIÓN DEL SILICIOContinental Device India Limited
883CD8550TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNPContinental Device India Limited
884CD8550TRANSISTOR PLANAR DEL SILICIO DE PNPContinental Device India Limited
885CD8550BPropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 2.000A Ic, 85-160 hFEContinental Device India Limited
886CD8550CPropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 2.000A Ic, 120-200 hFEContinental Device India Limited
887CD8550DPropósito 1.000W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 2.000A Ic, 160-300 hFEContinental Device India Limited
888CD9011Propósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 29-273 hFEContinental Device India Limited
889CD9011DPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 29 - 44 hFEContinental Device India Limited
890CD9011EPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 40-59 hFEContinental Device India Limited
891CD9011FPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 54-80 hFEContinental Device India Limited
892CD9011GPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 72-108 hFEContinental Device India Limited
893CD9011HPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 97-146 hFEContinental Device India Limited
894CD9011IPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 132-198 hFEContinental Device India Limited
895CD9011JPropósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.100A Ic, 182-273 hFEContinental Device India Limited
896CD9012Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.500A Ic, 64-465 hFEContinental Device India Limited
897CD9012DEFPropósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.500A Ic, 64-135 hFEContinental Device India Limited
898CD9012GHIPropósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.500A Ic, 118-305 hFEContinental Device India Limited
899CD9012JPropósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.500A Ic, 278-465 hFEContinental Device India Limited
900CD9013Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.500A Ic, 64-465 hFEContinental Device India Limited

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