Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
201 | 1N975B | 39.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
202 | 1N976 | 43.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
203 | 1N976A | 43.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
204 | 1N976B | 43.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
205 | 1N977 | 47.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
206 | 1N977A | 47.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
207 | 1N977B | 47.0V Estándar Grado 400 mW Axial Diodo Zener | Continental Device India Limited |
208 | 2N1613 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 50V VCEO, 0.500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
209 | 2N1711 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 50V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
210 | 2N1893 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
211 | 2N2102 | 1.000W RF NPN metal puede transistor. 65V VCEO, 1.000A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
212 | 2N2218 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 30V VCEO, 0.800A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
213 | 2N2218A | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 0.800A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
214 | 2N2219 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 30V VCEO, 0.800A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
215 | 2N2219A | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 0.800A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
216 | 2N2221 | Propósito General de 0.500W NPN metal puede transistor. 30V VCEO, 0.800A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
217 | 2N2221A | Propósito General de 0.500W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 0.800A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
218 | 2N2222 | Propósito General de 0.500W NPN metal puede transistor. 30V VCEO, 0.800A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
219 | 2N2222A | Propósito General de 0.500W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 0.800A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
220 | 2N2270 | Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 1.000A Ic, 50-200 hFE. | Continental Device India Limited |
221 | 2N2369 | Propósito General de 1.200W NPN metal puede transistor. 15V VCEO, A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
222 | 2N2369A | Propósito General de 1.200W NPN metal puede transistor. 15V VCEO, A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
223 | 2N23867 | 1.000W de potencia PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
224 | 2N2484 | Propósito General de 0.360W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.050A Ic, 250 hFE. | Continental Device India Limited |
225 | 2N2896 | Propósito General de 1.800W NPN metal puede transistor. 90V VCEO, 1.000A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
226 | 2N2904 | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 0.600A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
227 | 2N2904A | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.600A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
228 | 2N2905 | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 0.600A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
229 | 2N2905A | Propósito General de 0.600W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.600A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
230 | 2N2906 | 0.400W conmutación PNP Transistor metal Can. 40V VCEO, 0.600A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
231 | 2N2906A | 0.400W conmutación PNP Transistor metal Can. 60V VCEO, 0.600A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
232 | 2N2907 | 0.400W conmutación PNP Transistor metal Can. 40V VCEO, 0.600A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
233 | 2N2907A | 0.400W conmutación PNP Transistor metal Can. 60V VCEO, 0.600A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
234 | 2N3019 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, A Ic, 50 hFE. | Continental Device India Limited |
235 | 2N3020 | Propósito General de 0.800W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, A Ic, 30-100 hFE. | Continental Device India Limited |
236 | 2N3053 | Propósito General de 5.000W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 0.700A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
237 | 2N3053A | Propósito General de 7.000W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.700A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
238 | 2N3055 | 115.000W Potencia NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
239 | 2N3055HV | 90.000W de potencia NPN metal puede transistor. 100V VCEO, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
240 | 2N3250 | Propósito General de 0.360W PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 0.200A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
241 | 2N3250A | Propósito General de 0.360W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.200A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
242 | 2N3251 | Propósito General de 0.360W PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 0.200A Ic, 80 hFE. | Continental Device India Limited |
243 | 2N3251A | Propósito General de 0.360W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.200A Ic, 90 hFE. | Continental Device India Limited |
244 | 2N3415 | Propósito General de 0.360W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.500A Ic, 180-540 hFE | Continental Device India Limited |
245 | 2N3439 | Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 350V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE. | Continental Device India Limited |
246 | 2N3440 | 1.000W alto voltaje NPN metal puede transistor. 250V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE. | Continental Device India Limited |
247 | 2N3478 | Propósito General de 0.200W NPN metal puede transistor. 15V VCEO, 0.050A Ic, 25-150 hFE. | Continental Device India Limited |
248 | 2N3496 | Propósito General de 0.400W PNP metal puede transistor. 80V VCEO, 0.100A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
249 | 2N3497 | Propósito General de 0.400W PNP metal puede transistor. 120V VCEO, 0.100A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
250 | 2N3498 | 1.000W RF NPN metal puede transistor. 100V VCEO, 0.500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
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