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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorEnergía Del N-Canal A MOSFETs/11/60-100 V

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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 32 A de corriente. Transferencia Directa IRF121 datasheet de
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IRF120-123Vista IRF121 a nuestro catálogoIRF122



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