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Osservare tutti i fogli di dati per MotorolaTRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF530, IRF532, IRF533,
Scarica IRF531 datasheet de
Motorola
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163 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 14A. Scarica IRF531 datasheet de
General Electric Solid State
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168 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Supertex IncFETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
R531,
Scarica IRF531 datasheet de
Supertex Inc
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77 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF531 datasheet de
Samsung Electronic
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358 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133,
Scarica IRF531 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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185 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsMOSFET a canale N, 80V, 14A

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1,
Scarica IRF531 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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193 kb
IRF530STRRVista IRF531 al nostro catalogoIRF531F1



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