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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V

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IRF130, IRF533, IRF531, IRF132, IRF131,
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Fairchild Semiconductor
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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 12A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF530,
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General Electric Solid State
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Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsMOSFET a canale N, 100v, 12A

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IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1,
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SGS Thomson Microelectronics
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Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF532 datasheet de
Samsung Electronic
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Osservare tutti i fogli di dati per MotorolaTRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS Scarica IRF532 datasheet de
Motorola
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IRF531FIVista IRF532 al nostro catalogoIRF532F1



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