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Osservare tutti i fogli di dati per MotorolaPorta al silicio Di Aumento-Modo Della N-scanalatura TMOS

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF823, IRF821,
Scarica IRF820 datasheet de
Motorola
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146 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SGS Thomson MicroelectronicsN - MANICA 500V - 2,5 W - 2,5 A - Mosfet Di To-220 PowerMESH Scarica IRF820 datasheet de
SGS Thomson Microelectronics
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97 kb
Osservare tutti i fogli di dati per ST MicroelectronicsN-scanalatura 500V - 2,5 OHM - Â - Mosfet Di To-220 POWERMESH II Scarica IRF820 datasheet de
ST Microelectronics
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265 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild Semiconductor2.Ä, 500V, 3,000 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura Scarica IRF820 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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96 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF822,
Scarica IRF820 datasheet de
Samsung Electronic
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327 kb
Osservare tutti i fogli di dati per BayLinearMOSFET DI ALIMENTAZIONE Scarica IRF820 datasheet de
BayLinear
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40 kb
Osservare tutti i fogli di dati per IntersilMosfet Di Alimentazione 500V/Di 2.Ä/3,000 Ohm/N-Scanalatura Scarica IRF820 datasheet de
Intersil
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59 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. Scarica IRF820 datasheet de
General Electric Solid State
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169 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF820PBF,
Scarica IRF820 datasheet de
International Rectifier
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175 kb
IRF82Vista IRF820 al nostro catalogoIRF820A



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