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IRF820 prodotto da: |
Porta al silicio Di Aumento-Modo Della N-scanalatura TMOS D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF823, IRF821, |
Scarica IRF820 datasheet de Motorola |
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N - MANICA 500V - 2,5 W - 2,5 A - Mosfet Di To-220 PowerMESH | Scarica IRF820 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N-scanalatura 500V - 2,5 OHM - Â - Mosfet Di To-220 POWERMESH II | Scarica IRF820 datasheet de ST Microelectronics |
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2.Ä, 500V, 3,000 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF820 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF822, |
Scarica IRF820 datasheet de Samsung Electronic |
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MOSFET DI ALIMENTAZIONE | Scarica IRF820 datasheet de BayLinear |
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Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 2.Ä/3,000 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF820 datasheet de Intersil |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.5A. | Scarica IRF820 datasheet de General Electric Solid State |
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500V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF820PBF, |
Scarica IRF820 datasheet de International Rectifier |
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IRF82 | Vista IRF820 al nostro catalogo | IRF820A |