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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF822 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 2.0A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF820, IRF823, IRF821, |
Scarica IRF822 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/3,0/450 V/500 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Scarica IRF822 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF822 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
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N-channel mode aumento di potenza transistor MOS, 500V, 2.8A D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF820FI, IRF822FI, |
Scarica IRF822 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 175 kb |
IRF821FI | Vista IRF822 al nostro catalogo | IRF822FI |