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IRF822 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF820, IRF823, IRF821, |
Transferencia Directa IRF822 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Transferencia Directa IRF822 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF822 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
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N-canal de modo de mejora transistor MOS de potencia, 500V, 2.8A Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF820FI, IRF822FI, |
Transferencia Directa IRF822 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 175 kb |
IRF821FI | Vista IRF822 a nuestro catálogo | IRF822FI |