|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF822 изготавливается путем:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
Информация для частей производства General Electric Solid StateN-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 500В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.0A.

Другие с той же файл данные:
IRF820, IRF823, IRF821,
скачать IRF822 лист данных ( datasheet ) от
General Electric Solid State
pdf
169 kb
Информация для частей производства Fairchild SemiconductorMOSFETs/ 3.0 A/ 450 V/500 V Силы Н-Kanala

Другие с той же файл данные:
IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423,
скачать IRF822 лист данных ( datasheet ) от
Fairchild Semiconductor
pdf
162 kb
Информация для частей производства Samsung ElectronicMOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL скачать IRF822 лист данных ( datasheet ) от
Samsung Electronic
pdf
327 kb
Информация для частей производства SGS Thomson MicroelectronicsN-канальный режим повышения мощности МОП-транзистор, 500V, 2.8A

Другие с той же файл данные:
IRF820FI, IRF822FI,
скачать IRF822 лист данных ( datasheet ) от
SGS Thomson Microelectronics
pdf
175 kb
IRF821FIПосмотреть IRF822 в наш каталогIRF822FI



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com