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IRF422 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF420, IRF423, IRF421, |
Transferencia Directa IRF422 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF422 datasheet de Samsung Electronic |
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2.À y 2.Ä/450V y 500V/mOSFETs de la energía de 3,0 y 4,0 ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF422 datasheet de Intersil |
pdf 74 kb |
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Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Transferencia Directa IRF422 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
IRF421 | Vista IRF422 a nuestro catálogo | IRF423 |