| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567841 | IRF400 | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567842 | IRF4104 | 40V escogen el MOSFET automotor de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567843 | IRF4104L | 40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567844 | IRF4104S | 40V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567845 | IRF420 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567846 | IRF420 | 2.À y 2.Ä/450V y 500V/mOSFETs de la energía de 3,0 y 4,0 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567847 | IRF420 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567848 | IRF420 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567849 | IRF420-423 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567850 | IRF421 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567851 | IRF421 | 2.À y 2.Ä/450V y 500V/mOSFETs de la energía de 3,0 y 4,0 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567852 | IRF421 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567853 | IRF421 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567854 | IRF422 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567855 | IRF422 | 2.À y 2.Ä/450V y 500V/mOSFETs de la energía de 3,0 y 4,0 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567856 | IRF422 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567857 | IRF422 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567858 | IRF423 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 567859 | IRF423 | 2.À y 2.Ä/450V y 500V/mOSFETs de la energía de 3,0 y 4,0 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567860 | IRF423 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567861 | IRF423 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 567862 | IRF430 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âa | International Rectifier |
| 567863 | IRF430 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 567864 | IRF430 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567865 | IRF430 | Mosfet De la Energía De 4.Ä/De 500V/1,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567866 | IRF430 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567867 | IRF430 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
| 567868 | IRF430-433 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567869 | IRF431 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567870 | IRF431 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567871 | IRF431 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. | General Electric Solid State |
| 567872 | IRF431 | 4.0A y 4,5 A, 450 V y 500 V, 1,5 y 2,0 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567873 | IRF432 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567874 | IRF432 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567875 | IRF432 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 500V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567876 | IRF432 | 4.0A y 4,5 A, 450 V y 500 V, 1,5 y 2,0 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567877 | IRF433 | Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567878 | IRF433 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567879 | IRF433 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567880 | IRF433 | 4.0A y 4,5 A, 450 V y 500 V, 1,5 y 2,0 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
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