| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567921 | IRF500 | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567922 | IRF500C10RJ | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567923 | IRF500C10RJ | 50W al ALUMINIO FORMADO PLANO de los RESISTORES de la HERIDA del ALAMBRE de la ALTA ENERGÍA 500W CONTUVO | etc |
| 567924 | IRF510 | 5.Ã, 100V, 0,540 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567925 | IRF510 | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567926 | IRF510 | FETs Verticales De la Energía Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 567927 | IRF510 | Mosfet De la Energía De 5.Ã/De 100V/0,540 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567928 | IRF510 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567929 | IRF510 | MOSFET de potencia de canal N, 100V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567930 | IRF510-513 | Energía A MOSFETs/5,5/60-100V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567931 | IRF510A | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 567932 | IRF510S | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567933 | IRF510STRL | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567934 | IRF510STRR | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567935 | IRF511 | FETs Verticales De la Energía Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 567936 | IRF511 | Energía A MOSFETs/5,5/60-100V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567937 | IRF511 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567938 | IRF511 | MOSFET de potencia de canal N, 80V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567939 | IRF512 | FETs Verticales De la Energía Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 567940 | IRF512 | Energía A MOSFETs/5,5/60-100V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567941 | IRF512 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567942 | IRF512 | MOSFET de potencia de canal N, 100V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567943 | IRF513 | FETs Verticales De la Energía Del Realce-Modo DMOS Del N-Canal | Supertex Inc |
| 567944 | IRF513 | Energía A MOSFETs/5,5/60-100V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567945 | IRF513 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567946 | IRF513 | MOSFET de potencia de canal N, 80V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567947 | IRF520 | 9.À, 100V, 0,270 Ohmios, Características del Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567948 | IRF520 | N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 10A To-220 | ST Microelectronics |
| 567949 | IRF520 | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567950 | IRF520 | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567951 | IRF520 | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 567952 | IRF520 | N - FETs VERTICALES de la ENERGÍA del MODO DMOS del REALCE del CANAL | Supertex Inc |
| 567953 | IRF520 | Mosfet De la Energía De 9.À/De 100V/0,270 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567954 | IRF520A | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Fairchild Semiconductor |
| 567955 | IRF520FI | TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | SGS Thomson Microelectronics |
| 567956 | IRF520FI | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567957 | IRF520FI | N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | ST Microelectronics |
| 567958 | IRF520L | Energía MOSFET(Vdss=100V/Rds(on)=0.20ohm/Id=9.7A) | International Rectifier |
| 567959 | IRF520N | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567960 | IRF520NL | HEXFET MOSFET de potencia. VDSS = 100V, RDS (on) = 0,20 Ohm, ID = 9.7A | International Rectifier |
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