| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567721 | IRF343 | 10A y 8.3A, 400V y 350V, 0.55 y 0.80 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567722 | IRF350 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 567723 | IRF350 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567724 | IRF350 | Mosfet De la Energía Del 1Ä/400V/0,300 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567725 | IRF350 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567726 | IRF350 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
| 567727 | IRF350-353 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567728 | IRF351 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567729 | IRF351 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567730 | IRF351 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
| 567731 | IRF351 | 13.0a y 15.0A, 350 y 400 V, 0.300 y 0.400 ohmios, Avalancha Calificación *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 | Intersil |
| 567732 | IRF3515L | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567733 | IRF3515LPBF | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567734 | IRF3515S | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567735 | IRF3515SPBF | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567736 | IRF3515STRL | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567737 | IRF3515STRR | 150V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567738 | IRF352 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567739 | IRF352 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567740 | IRF352 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567741 | IRF352 | 13.0a y 15.0A, 350 y 400 V, 0.300 y 0.400 ohmios, Avalancha Calificación *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 | Intersil |
| 567742 | IRF353 | MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567743 | IRF353 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567744 | IRF353 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 350V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567745 | IRF353 | 13.0a y 15.0A, 350 y 400 V, 0.300 y 0.400 ohmios, Avalancha Calificación *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 | Intersil |
| 567746 | IRF36 | Inductores | Vishay |
| 567747 | IRF36 | Inductores | Vishay |
| 567748 | IRF360 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 567749 | IRF3703 | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567750 | IRF3703PBF | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567751 | IRF3704 | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567752 | IRF3704L | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567753 | IRF3704PBF | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567754 | IRF3704S | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567755 | IRF3704STRL | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567756 | IRF3704STRR | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567757 | IRF3704Z | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567758 | IRF3704ZCL | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567759 | IRF3704ZCLPBF | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567760 | IRF3704ZCS | 20V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
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